一种ZnO-TCL半导体发光器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种ZnO-TCL半导体发光器件及其制造方法，其中包括衬底及生长在衬底上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层由下往上依次包括：N型层、MQWS层、P型层及ZnO-TCL层；经过湿法刻蚀后，N型层的上表面还蒸镀有N型金属电极；ZnO-TCL层上蒸镀有P型金属电极，P型金属电极包括内嵌部，内嵌部内嵌至ZnO-TCL层内，且内嵌部的内嵌深度小于该ZnO-TCL层的高度。本发明采用弱酸湿法刻蚀工艺，实现可控高精度低成本刻蚀；刻蚀掉一部分ZnO-TCL层，使其截面呈等梯形或碗状形，使蒸镀上去的电极接触面更广，附着力更强；由于保留了部分ZnO-TCL层，保证电流扩展层的完整性，可提高电流扩展效果。

主权项

一种ZnO‑TCL半导体发光器件，其中包括有：衬底（1）及生长在衬底上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层由下往上依次包括：N型层（2）、MQWS层（3）、P型层（4）及ZnO‑TCL层（5）；其特征在于：经过刻蚀后，所述N型层（2）的上表面还蒸镀有N型金属电极（6）；所述ZnO‑TCL层（5）上蒸镀有P型金属电极（7），所述P型金属电极（7）包括内嵌部（71），所述内嵌部（71）内嵌至ZnO‑TCL层内，且所述内嵌部（71）的内嵌深度小于该ZnO‑TCL层的高度。