DLC膜形成方法及DLC膜

摘要

本发明提供一种在低温环境下仍具有良好密着性的DLC膜及能形成该DLC膜的DLC膜形成方法。此外，提供一种初期相容性良好的DLC膜及能形成该DLC膜的DLC膜形成方法。在本发明中，与外离合器板(15)的基材(30)中的内离合器板相对的第1相对面(31)由DLC膜(26)覆盖。此外，基材(30)的表层部形成有处理层(33)。处理层(33)通过将直流脉冲电压施加在基材(30)上、在含有氩气及氢气的环境中生成等离子体来形成。

主权项

DLC膜的形成方法，其在处理室内形成覆盖基材表面的至少一部分的DLC膜，包含前处理工序和DLC沉积工序，所述前处理工序在由低真空泵形成的规定处理压的减压状态下进行，通过向所述基材施加直流脉冲电压，在所述处理室内部于含有氩气及含氢气体的环境气体中生成等离子体，将Ar离子及H离子供给到所述基材表面，所述DLC沉积工序于上述减压状态下、在所述前处理工序后进行，通过向所述基材施加直流脉冲电压，在所述处理室内部于环境气体中生成等离子体，在经前处理工序处理后的所述基材表面形成DLC沉积层，在所述前处理工序和所述DLC沉积工序中，设定上述两个工序的处理时间、上述两个工序中所述的规定处理压或上述两个工序中施加在所述基材的所述直流脉冲式电压的频率、占空比或电压值，使所述基材的温度在300℃以下。