| 发明名称 | 在斜面蚀刻处理期间避免低k损伤 | ||
| 摘要 | 提供一种蚀刻基片斜缘的方法。在该蚀刻层上形成图案化光刻胶掩模。清洁该斜缘，包括：提供清洁气体，其包括CO2、CO、CxHy、H2、NH3、CxHyFz和其组合的至少一个；由该清洁气体形成清洁等离子；以及将该斜缘暴露于该清洁等离子。穿过该光刻胶特征将特征蚀刻进该蚀刻层，以及去除该光刻胶掩模。 | ||
| 申请公布号 | CN101506939B | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN200780031547.6 | 申请日期 | 2007.08.21 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 金允尚;安德鲁·贝利三世;杰克·陈 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 周文强;李献忠 |
| 主权项 | 一种蚀刻基片斜缘的方法，包括：在蚀刻层上形成图案化光刻胶掩模；穿过该光刻胶特征将特征蚀刻进该蚀刻层；清洁该斜缘，包括：提供清洁气体，其包括CO2或CO中至少一种；由该清洁气体形成清洁等离子，包括在紧邻该基片顶部表面处放置气体分配板，从而使得在该斜缘蚀刻过程中该气体分配板和该基片之间不形成该清洁等离子；以及将该斜缘暴露于该清洁等离子，该斜缘包括该基片边缘处的一部分顶部表面至一部分底部表面；以及去除该光刻胶掩模。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||