发明名称 | 实现氧化锌纳米线自组装的方法 | ||
摘要 | 一种纳米处理技术领域的实现氧化锌纳米线自组装的方法,通过将硅片表面依次进行羟基化和氨基化处理后,浸泡于经十二烷基硫酸钠进行表面修饰后的氧化锌纳米线分散液,实现自组装。本发明简单、方便、高效,制备得到的氧化锌纳米线薄膜适宜制备高质量器件。 | ||
申请公布号 | CN102140037B | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
申请号 | CN201110071916.2 | 申请日期 | 2011.03.24 |
申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 张亚非;戴振清;魏良明;徐东;回兵 |
分类号 | C04B41/50(2006.01)I | 主分类号 | C04B41/50(2006.01)I |
代理机构 | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人 | 王锡麟;王桂忠 |
主权项 | 一种实现氧化锌纳米线自组装的方法,其特征在于,通过将硅片表面依次进行羧基化和氨基化处理后,浸泡于经十二烷基硫酸钠进行表面修饰后的氧化锌纳米线分散液,实现自组装;所述的羟基化是指:配制浓度30wt%硫酸溶液和浓度98wt%的双氧水溶液的混合溶液,其体积比为2.5:1,将清洗好的硅片放入该溶液中,在90℃下煮2~3小时,煮完之后将硅片取出并用去离子水反复清洗,最后将硅片放入去离子水中,在80℃条件下煮20~30分钟后,取出用氮气吹干;所述的氨基化是指:在去离子水中加入3‑氨丙基二乙氧基硅烷,并进行超声处理10分钟,之后将羟基化的硅片放入其中静置10~15小时,静置结束后加热至80℃并保持1~2小时,接着取出硅片并清洗,最后将硅片真空退火;所述的表面修饰是指:将氧化锌纳米线放入去离子水中,同时向去离子水中添加十二烷基硫酸钠,并进行超声处理,使氧化锌纳米线在溶液中均匀分散,并使纳米线在十二烷基硫酸钠的修饰下表面带上负电。 | ||
地址 | 200240 上海市闵行区东川路800号 |