反射器及其制作方法，以及包含该反射器的发光器件

摘要

本发明公开了一种用于氮化镓基发光器件的反射器及其制作方法，以及包含该反射器的发光器件。反射器形成于p型氮化镓基外延层之上，包括：须状晶体，其材料为非掺杂氮化镓，按照一定密度分布形成于所述p型氮化镓基外延层之表面上且其位置对应外延层的位错缺陷；金属反射层，形成于所述p型氮化镓基外延层和须状晶体之上。非掺杂氮化镓基须状晶体置于p型GaN基外延层的位错缺陷之上，可以将Ag反射层与p型GaN基外延层的位错缺陷分隔开，有效的抑制Ag通过电迁移方式渗透进位错缺陷内部，可以大大降低含Ag反射器的发光器件的漏电概率。

主权项

一种用于氮化镓基发光器件的反射器，其形成于p型氮化镓基外延层之上，其特征在于所述反射器包括：须状晶体，其材料为非掺杂氮化镓，按照一定密度分布形成于所述p型氮化镓基外延层之表面上且其位置对应外延层的位错缺陷；金属反射层，形成于所述p型氮化镓基外延层和须状晶体之上。