发明名称 一种铕基ThCr<sub>2</sub>Si<sub>2</sub>结构的低温磁制冷材料的制备方法
摘要 本发明涉及一种铕基ThCr2Si2结构的低温磁制冷材料及制备方法。本发明的磁性材料化学通式为:Eu-T-X,T为Fe或Cu,X为P或As,该磁性材料具有体心ThCr2Si2型四方晶体结构。本发明方法首先将稀土金属铕、过渡金属和非金属按比例混合成原料,其中过渡金属为Fe或Cu,非金属为P或As;然后将原料置于石英容器内,抽真空后封闭,将石英容器升温至400~450℃后保温,继续升温至800~900℃后保温;冷却后将制品压片成型,经高温退火、冷却得到成品。本发明方法采用缓慢升温、分步反应的方法,有效地克服了P或As的挥发。本发明方法相对工艺简单,易于实现,制得的磁制冷材料具有良好的磁、热可逆性质。
申请公布号 CN102383017B 申请公布日期 2012.11.28
申请号 CN201110354855.0 申请日期 2011.11.10
申请人 杭州电子科技大学 发明人 李领伟;霍德璇;苏伟涛;吕燕飞;钱正洪
分类号 C22C28/00(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I;C22F1/02(2006.01)I;C22F1/16(2006.01)I;C09K5/14(2006.01)I 主分类号 C22C28/00(2006.01)I
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人 杜军
主权项 一种铕基ThCr2Si2结构的低温磁制冷材料的制备方法,所述的低温磁制冷材料的化学通式为:Eu‑T‑X,其中Eu为稀土金属铕,T为Fe、Cu中的一种或两种,X为P、As中的一种或两种;磁性材料中各物质的原子比为Eu:T:X=1:2:2;所述的低温磁制冷材料具有体心ThCr2Si2型四方晶体结构;其特征在于制备该低温磁制冷材料的方法的具体步骤是:步骤(1).将稀土金属铕、过渡金属和非金属按照摩尔比1:2:2×(1.03~1.05)在Ar气手套箱内均匀混合成原料;所述的过渡金属为Fe、Cu中的一种或两种的混合物;所述的非金属为P、As中的一种或两种的混合物;步骤(2).将原料置于石英容器内,对石英容器抽真空,石英容器内的压力小于等于2×10‑2Pa后将石英容器封闭;步骤(3).将石英容器放到垂直烧结炉,以3~5℃/分钟的速度升温至400~450℃后保温5~10小时,然后以8~10℃/分钟的速度继续升温至800~900℃后保温5~10小时;步骤(4).石英容器自然冷却至常温,取出石英容器内制品,在常温、10~15MPa压力下压片成型;步骤(5).在800~900℃下高温退火10~24小时,然后自然冷却至常温,制得成品。
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