发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本发明的一个目的为通过减小光电传感器中的晶体管的截止状态电流来实现低功耗。一种半导体装置包括:具有光电二极管、第一晶体管和第二晶体管的光电传感器;以及包括读取控制晶体管的读取控制电路,其中所述光电二极管具有向所述第一晶体管的栅极提供基于入射光的电荷的功能;所述第一晶体管具有存储提供至其栅极的电荷以及将所存储的电荷转换为输出信号的功能;所述第二晶体管具有对所述输出信号的读取进行控制的功能;所述读取控制晶体管用作将所述输出信号转换为电压信号的电阻器;且所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述读取控制晶体管的半导体层使用氧化物半导体来形成。 |
申请公布号 |
CN102804380A |
申请公布日期 |
2012.11.28 |
申请号 |
CN201180013659.5 |
申请日期 |
2011.02.17 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
黑川义元;池田隆之;田村辉;上妻宗广 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L31/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
侯颖媖 |
主权项 |
一种半导体装置,包括:光电传感器,包括:光电二极管;具有栅极的第一晶体管,所述第一晶体管的栅极连接到所述光电二极管的一个电极;具有源极和漏极的第二晶体管,所述第二晶体管的源极和漏极之一连接到所述第一晶体管的源极和漏极之一;和包括读取控制晶体管的读取控制电路,所述读取控制晶体管具有源极和漏极,所述读取控制晶体管的源极和漏极之一连接到所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个,其中,所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述读取控制晶体管中的至少一个包括半导体层中的氧化物半导体。 |
地址 |
日本神奈川县 |