| 发明名称 | 基于硅烷的二氧化硅膜形成方法以及半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种基于硅烷的二氧化硅膜形成方法以及半导体器件制造方法。根据本发明的基于硅烷的二氧化硅膜形成方法包括：第一步骤：将晶圆放入在反应腔中；第二步骤：通过第一管路通入气体SiH4，通入第二管路通入气体N2O；第三步骤：启动射频能量；第四步骤：关闭第一管路中气体SiH4；第五步骤：在关闭第一管路中气体SiH4之后关闭射频能量；其中，在所述第五步骤中在关闭第一管路中气体SiH4之后关闭射频能量的延迟时间为5秒。本发明优化后的基于硅烷的二氧化硅膜形成方法，彻底消除了晶圆边缘特殊图形的团聚物颗粒，有效解决产品中的晶圆边缘特殊图形的团聚物颗粒问题，提高了产品的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN102800569A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201210335513.9 | 申请日期 | 2012.09.11 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 易义军;陈建维;张旭升 |
| 分类号 | H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/033(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种基于硅烷的二氧化硅膜形成方法，其特征在于包括：第一步骤：将晶圆放入在反应腔中；第二步骤：通过第一管路通入气体SiH4，通入第二管路通入气体N2O；第三步骤：启动射频能量；第四步骤：关闭第一管路中气体SiH4；第五步骤：在关闭第一管路中气体SiH4之后关闭射频能量；其中，在所述第五步骤中在关闭第一管路中气体SiH4之后关闭射频能量的延迟时间为5秒。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||