| 发明名称 | 改进用于MRI的低噪声前置放大器的输入阻抗 | ||
| 摘要 | 前置放大器(46)包括具有公共源极配置的场效应晶体管(64)。当场效应晶体管的栅极被耦合到放大器输入电路(例如MRI线圈)时，场效应晶体管(64)的漏极被耦合到放大器输出端。该前置放大器还包括第一源-地连接部(66)和第二源-地连接部(68)。第一源-地引线(66)将场效应晶体管的源极耦合到放大器输入电路的接地节点，而第二源-地引线(68)将场效应晶体管的源极耦合到放大器输出电路的接地节点。结果，放大器输出电流基本在第二源-地引线(68)两端生成电压降。因此，放大器输入电路较少地受到任何公共源-地连接部两端的任何公共电压降的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN102804595A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201080032378.X | 申请日期 | 2010.05.17 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | A·赖高斯基 |
| 分类号 | H03F1/08(2006.01)I;H03F1/10(2006.01)I;H03F3/193(2006.01)I | 主分类号 | H03F1/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王英;刘炳胜 |
| 主权项 | 一种具有FET设备(46)的前置放大器设备(44)，其包括：栅极(60)；漏极(62)；耦合到浮动接地端(46地)的第一源极(66)；以及耦合到第二接地端(44地)的第二源极(68)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||