发明名称 |
离子植入机及离子植入的方法 |
摘要 |
本发明实施例公开了一种离子植入机和离子植入方法,所述离子植入机包括:发射固定不动离子束的离子源和放置晶片的靶盘,所述靶盘转动使离子束沿晶片的水平方向扫描过晶片,还包括位于晶片两侧且沿水平方向对称设置的第一电极和第二电极,其中,所述第一电极和第二电极具有相同的极性和相同的电位。通过在晶片两侧沿水平方向对称设置具有相同极性和电位的第一电极和第二电极,离子束受到电场作用,使离子束的植入角度得到调整,从而改善了晶片不同位置植入角度存在差异的问题,以满足器件对植入角度的要求,进而达到产品性能的要求。 |
申请公布号 |
CN102800549A |
申请公布日期 |
2012.11.28 |
申请号 |
CN201110137747.8 |
申请日期 |
2011.05.26 |
申请人 |
和舰科技(苏州)有限公司 |
发明人 |
滕庚烜;王冬晶 |
分类号 |
H01J37/317(2006.01)I;C23C14/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/317(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
逯长明;王宝筠 |
主权项 |
一种离子植入机,包括发射固定不动离子束的离子源和放置晶片的靶盘,所述靶盘转动使离子束沿晶片的水平方向扫描过晶片,其特征在于,还包括:位于晶片两侧且沿水平方向对称设置的第一电极和第二电极,其中,所述第一电极和第二电极具有相同的极性和相同的电位。 |
地址 |
浙江省杭州市苏州工业园区星华街333号 |