发明名称 一种用于熔解晶体硅的坩埚及其制备方法和喷涂液
摘要 本发明涉及一种用于熔解晶体硅的坩埚及制备方法和喷涂液,属于坩埚技术领域。解决现有坩埚在使用过程中涂层易剥落和破损现象,不能很好的防止杂质的渗透的问题,目的在于提供一种用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液,该喷涂液包含氮化硅、烧结添加剂、在常温下能够与坩埚本体粘结的有机粘结剂、无机粘结剂和烧结粘结剂。还提供了一种采用该喷涂液的坩埚,该坩埚包括坩埚本体,所述的坩埚本体的内表面涂覆有涂层,所述的涂层由喷涂液喷涂而成,还提供了一种该坩埚的制备方法,通过喷涂、干燥、烧除、烧结处理后得到用于熔解晶体硅的坩埚。该坩埚能够重复使用,且涂层不易剥落和破损,能够有效了防止坩埚本体中的杂质特别是氧元素的渗透现象。
申请公布号 CN102797042A 申请公布日期 2012.11.28
申请号 CN201210326561.1 申请日期 2012.09.06
申请人 张礼强 发明人 张礼强
分类号 C30B35/00(2006.01)I;F27B14/10(2006.01)I;C04B41/87(2006.01)I 主分类号 C30B35/00(2006.01)I
代理机构 台州市方圆专利事务所 33107 代理人 蔡正保;张智平
主权项 一种用于熔解晶体硅的坩埚,其特征在于,包括坩埚本体(1),所述的坩埚本体(1)的内表面涂覆有涂层(2),所述的涂层(2)由喷涂液喷涂而成,所述喷涂液包含氮化硅、烧结添加剂、在常温下能够与坩埚本体(1)粘结的有机粘结剂、无机粘结剂和烧结粘结剂。
地址 318000 浙江省台州市椒江区东升花园26号楼三单元206室