碳化硅半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及碳化硅半导体装置的制造方法。提供一种半导体装置，能够在碳化硅肖特基二极管的制造中，使二极管的正向特性特别是势垒高度φB稳定，使漏电流的偏差减少。在外延层（2）上利用干式热氧化形成硅氧化膜OX1，在SiC基板（1）的背面形成欧姆电极（3），之后，对SiC基板（1）进行退火，在欧姆电极（3）和SiC基板（1）的背面之间形成欧姆接合，除去硅氧化膜OX1，之后，在外延层（2）上形成肖特基电极（4）。之后，进行烧结，在肖特基电极（4）和外延层之间形成肖特基接合。

主权项

一种碳化硅半导体装置的制造方法，具有如下工序：（a）准备第一导电型的碳化硅基板；（b）在所述碳化硅基板的一个主面上形成第一导电型的外延层；（c）在所述外延层的上层部，以包围成为电极区域的部分的方式，离子注入第二导电型的杂质，形成终端结构；（d）在所述外延层上利用干式热氧化形成硅氧化膜；（e）在所述碳化硅基板的另一个主面上形成第一金属膜；（f）在所述工序（e）之后，以第一温度对所述碳化硅基板进行热处理，在所述第一金属膜和所述碳化硅基板的所述另一个主面之间形成欧姆接合；（g）在所述工序（f）之后，除去所述硅氧化膜；（h）在所述工序（g）之后，在所述外延层上形成第二金属膜；（i）在所述工序（h）之后，以第二温度对所述碳化硅基板进行热处理，在所述第二金属膜和所述外延层之间形成肖特基接合。