Ⅳ族纳米颗粒结以及由其构成的设备

摘要

在此披露一种用于从太阳辐射发电的设备。所述设备包括掺杂有第一掺杂剂的晶片，所述晶片包括前侧和背侧，其中所述前侧被配置为暴露于太阳辐射。所述设备还包括所沉积在所述前侧上熔融的Ⅳ族纳米颗粒薄膜，其中所述纳米颗粒薄膜包括第二掺杂剂，其中所述第二掺杂剂是反向掺杂剂。所述设备还包括沉积在所述纳米颗粒薄膜上的第一电极，以及沉积在所述背侧上的第二电极，其中当太阳辐射施加于所述前侧上时，产生电流。

主权项

一种用于从太阳辐射发电的设备，包括：掺杂有第一掺杂剂的晶片，所述晶片包括前侧和背侧，其中所述前侧被配置为暴露于太阳辐射；沉积在所述前侧上的熔融的IV族纳米颗粒薄膜发射极，其中所述纳米颗粒薄膜包括第二掺杂剂，其中所述第二掺杂剂是第一掺杂剂的反向掺杂剂，所述IV族纳米颗粒的平均直径为1‑100nm并包括硅、锗、碳或它们的组合；沉积在所述纳米颗粒薄膜上的第一电极；以及沉积在所述背侧上的第二电极；其中，当太阳辐射作用于所述前侧上时，产生电流。