| 发明名称 | 集成了调制折射率的平面光学元件的电致发光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包括在支承件(11)腔室(12)中(“包装”)包含的半导体(13)、任选的包封在所述腔室中包含的所述半导体的材料、供电装置和封闭所述腔室的平面光学元件(15)的电致发光二极管(7,17)(DEL)，其中该光学元件由玻璃制成，并包含至少一个含有银、铊、铯、铅或钡离子的调制折射率的图案，所述图案被整合到玻璃的厚度中。本发明还涉及以片规模集合制造所述电致发光二极管的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102804425A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201080028511.4 | 申请日期 | 2010.06.25 |
| 申请人 | 法国圣戈班玻璃厂 | 发明人 | G.库尼;J-P.米莱 |
| 分类号 | H01L33/58(2006.01)I;G02B3/00(2006.01)I;C03C3/064(2006.01)I;C03C3/093(2006.01)I;C03C21/00(2006.01)I;H01L33/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/58(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 黄念;林森 |
| 主权项 | 包含由支承件承载的半导体、供电装置和平面光学元件的电致发光二极管(DEL)，其特征在于光学元件由玻璃制成，并在于其包含至少一个含有银、铊、铯、铅或钡离子的调制折射率的图案，所述图案被整合到玻璃厚度中。 | ||
| 地址 | 法国库伯瓦 | ||