| 发明名称 | 半导体电感器结构以及半导体电路装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体电感器结构以及半导体电路装置。根据本发明的半导体电感器结构包括：第一金属叠层以及第二金属叠层；其中，所述第一金属叠层和所述第二金属叠层通过一个或多个通孔连接；所述通孔中填充有金属；所述第一金属叠层和所述第二金属叠层具有不同的叠层结构；其中，所述第一金属叠层由自上而下依次层叠的第三上叠层金属层、第四上叠层金属层、以及第五上叠层金属层组成；并且其中，所述第二金属叠层包括：自上而下依次层叠的第一下叠层金属层、第二下叠层金属层、第三下叠层金属层、第四下叠层金属层、以及第五下叠层金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN102800648A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201210313065.2 | 申请日期 | 2012.08.29 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 黎坡 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种半导体电感器结构，其特征在于包括：第一金属层以及第二金属层；其中所述第一金属层以及所述第二金属层通过一个或多个通孔连接；所述通孔中填充有金属。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||