用于IC钝化结构的均匀度控制

摘要

用于IC钝化结构的均匀度控制。本发明涉及半导体器件。半导体器件包括包含互连结构的晶片。互连结构包括多个通孔和多个互连线。半导体器件包括设置在互连结构之上的第一导电焊盘。第一导电焊盘电连接至互连结构。半导体器件包括设置在互连结构之上的多个第二导电焊盘。半导体器件包括设置在第一和第二导电焊盘之上并且至少部分地密封第一和第二导电焊盘的钝化层。半导体器件包括电连接至第一导电焊盘但是不与第二导电焊盘的导电端子电连接的导电端子。

主权项

一种半导体器件，包括：晶片，包括互连结构，所述互连结构包括多个通孔和多个互连线；第一导电焊盘，设置在所述互连结构之上，所述第一导电焊盘电连接至所述互连结构；多个第二导电焊盘，设置在所述互连结构之上；钝化层，设置在所述第一导电焊盘和所述第二导电焊盘之上并且至少部分地密封所述第一导电焊盘和所述第二导电焊盘；以及导电端子，电连接至所述第一导电焊盘但是不与所述第二导电焊盘电连接。