发明名称 一种氮化硅陶瓷球的制备方法
摘要 本发明提供一种氮化硅陶瓷球的制备方法,该制备方法包括如下步骤:(1)将氮化硅和烧结助剂混合、造粒、冷等静压成型处理,得到氮化硅陶瓷球素坯;(2)在步骤(1)得到的素坯表面涂隔离层,干燥后放入玻璃容器,经热处理后,在真空下进行氢氧火焰焊封,焊接点加入与所述玻璃容器相同的材料,得到玻璃容器包封的素坯;(3)在无压状态下,将步骤(2)得到的玻璃容器包封的素坯放入坩埚,先进行升温至玻璃容器软化,然后在氮气或氩气保护下,进行热等静压烧结,即得。采用本发明的制备方法制备得到的氮化硅陶瓷球具有致密性高、晶粒均匀、性能优异、工艺操作简单、可实现产业化等优点。
申请公布号 CN102795860A 申请公布日期 2012.11.28
申请号 CN201210241108.0 申请日期 2012.07.11
申请人 北京中材人工晶体研究院有限公司 发明人 茹敏朝;张伟儒;张哲;曾俐;丁艳;徐鹏;庄新江
分类号 C04B35/622(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I 主分类号 C04B35/622(2006.01)I
代理机构 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 代理人 曹津燕;李渤
主权项 一种氮化硅陶瓷球的制备方法,该制备方法包括如下步骤:(1)将氮化硅和烧结助剂混合、造粒、冷等静压成型处理,得到氮化硅陶瓷球素坯;(2)在步骤(1)得到的素坯表面涂隔离层,干燥后放入玻璃容器,经热处理后,在真空下进行氢氧火焰焊封,焊接点加入与所述玻璃容器相同的材料,得到玻璃容器包封的素坯;(3)在无压状态下,将步骤(2)得到的玻璃容器包封的素坯放入坩埚,先进行升温至玻璃容器软化,然后在氮气或氩气保护下,进行热等静压烧结,即得。
地址 100018 北京市朝阳区东坝红松园1号