| 发明名称 | 一种SiO<sub>2</sub>薄膜的制备方法及其应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种SiO2薄膜的制备方法及其应用，属于SiO2薄膜制备领域。一种SiO2薄膜的制备方法，为匀胶法，包括溶胶制备、薄膜制备和热处理的步骤，所述溶胶制备步骤中溶胶原料按体积比，由下述组分组成：TEOS：乙醇：乙二醇乙醚：异丙醇：去离子水=101：34：70：33：14.5。本发明制备工艺简单，所制备薄膜为硅氧化合物，硅和氧的原子数量比为1:2~3。本发明匀胶法可应用于全玻璃真空太阳能集热管外管内外壁制备增透单层膜一次性成膜，工艺简单，降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102795788A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201210292073.3 | 申请日期 | 2012.08.16 |
| 申请人 | 大连交通大学 | 发明人 | 李剑锋 |
| 分类号 | C03C17/23(2006.01)I;F24J2/46(2006.01)I | 主分类号 | C03C17/23(2006.01)I |
| 代理机构 | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人 | 赵淑梅;李馨 |
| 主权项 | 1.一种SiO<sub>2</sub>薄膜的制备方法，为匀胶法，包括溶胶制备、薄膜制备和热处理的步骤，其特征在于：所述溶胶制备步骤中溶胶原料按体积比，由下述组分组成：<img file="FDA00002021812900011.GIF" wi="606" he="412" /> | ||
| 地址 | 116028 辽宁省大连市沙河口区黄河路794号 | ||