发明名称 一种太阳能电池吸收层Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>薄膜的湿化学制备方法
摘要 一种太阳能电池吸收层Cu2ZnSnS4薄膜的湿化学制备方法属于光电材料新能源领域。本发明步骤:(a)前躯体溶液制备(b)浸渍提拉前躯体薄膜制备(c)退火处理。本发明所提供的Cu2ZnSnS4薄膜制备方法,不需要使用昂贵的原材料和设备,各工艺步骤的控制性好,有利于制成大晶粒、致密、光电性能良好的吸收层薄膜,其工艺简单,可重复性强,易实现大规模生产,为发展绿色环保、低成本、高转换效率的Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池技术提供新思路,可促进Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池产业化快速发展。
申请公布号 CN102800751A 申请公布日期 2012.11.28
申请号 CN201210265981.3 申请日期 2012.07.29
申请人 北京工业大学 发明人 孙玉绣;郑慧娟;宗恺;张美娟;汪浩;严辉;刘晶冰;朱满康
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;C23C26/00(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人 刘萍
主权项 一种太阳能电池吸收层Cu2ZnSnS4薄膜的湿化学制备方法,其特征在于按如下的步骤进行:a)前躯体溶液制备:将含Cu、含Zn、含Sn、含S的化合物,按照Cu:Zn:Sn:S摩尔比为2:1:1:5‑10,溶入乙二醇溶剂中,充分搅拌,得到透明前躯体溶液;b)前躯体薄膜制备:将镀Mo衬底的钠钙玻璃,浸入步骤a)中所前躯体述溶液中,然后提拉出液面,然后在200℃下干燥10min,然后再接着浸渍、提拉,干燥处理,重复多次,制备出300‑2000nm厚度的前躯体薄膜;c)退火处理:将步骤b)干燥后的前躯体薄膜,进行硫化或硒化退火处理形成Cu2ZnSnS4薄膜。
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