发明名称 |
可闩锁的转压系统 |
摘要 |
本发明提供了一种可闩锁的转压系统,用于接收输入信号,其中,所述输入信号具有一第一电压及一第二电压,所述转压系统将该输入信号转压成具有一第三电压及第一电压的输出信号;其中,当一使能信号为所述第二电压时,该可闩锁的转压系统输入该输入信号;当使能信号为所述第一电压时,该可闩锁的转压系统闩锁住该输入信号,并将该输入信号转换成具有所述第三电压及所述第一电压的输出信号。本发明的可闩锁的转压系统,在使用读取信号控制两颗MOS晶体管开关信号传递前,闩锁器的输出信号与反向信号已闩锁存住,故在读取信号为高时,即可将信号进行传递,再利用正反馈将数据闩锁住,如此可增快电路速度,也达到了节省面积的目标。 |
申请公布号 |
CN102800295A |
申请公布日期 |
2012.11.28 |
申请号 |
CN201210321333.5 |
申请日期 |
2012.09.03 |
申请人 |
旭曜科技股份有限公司 |
发明人 |
郑彦诚;黄健群;张惠雯 |
分类号 |
G09G3/36(2006.01)I;H03K19/0185(2006.01)I |
主分类号 |
G09G3/36(2006.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 11018 |
代理人 |
牛峥;王丽琴 |
主权项 |
一种可闩锁的转压系统,其特征在于,其包含:一第一NMOS晶体管,所述第一NMOS晶体管的栅极连接一使能输入端以接收一使能信号,所述第一NMOS晶体管的源极连接至一第一输入信号,其中,所述第一输入信号具有一第一电压及一第二电压;一第二NMOS晶体管,所述第二NMOS晶体管的栅极连接所述使能输入端以接收所述使能信号,所述第二NMOS晶体管的源极连接至一第二输入信号,其中,所述第二输入信号具有所述第一电压及所述第二电压;一第一PMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管的栅极连接所述第二NMOS晶体管的漏极,所述第一PMOS晶体管的漏极连接至所述第一NMOS晶体管的漏极及一第一输出端,以及所述第一PMOS晶体管的源极连接一第三电压;一第二PMOS晶体管,所述第二PMOS晶体管的栅极连接所述第一NMOS晶体管的漏极,所述第二PMOS晶体管的漏极连接至所述第二NMOS晶体管的漏极及一第二输出端,以及所述第二PMOS晶体管的源极连接所述第三电压;一第三NMOS晶体管,所述第三NMOS晶体管的栅极连接所述第一NMOS晶体管的漏极,所述第三NMOS晶体管的漏极连接至所述第二NMOS晶体管的漏极,以及所述第三NMOS晶体管的源极连接所述第一电压;以及一第四NMOS晶体管,所述第四NMOS晶体管的栅极连接所述第二NMOS晶体管的漏极,所述第四NMOS晶体管的漏极连接至所述第一NMOS晶体管的漏极,以及所述第四NMOS晶体管的源极连接所述第一电压;其中,所述第二电压的电平值大于所述第一电压的电平值,所述第三电压的电平值大于所述第二电压的电平值,所述第一输入信号与所述第二输入信号反相。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区笃行一路6号4楼 |