具有形成在有纹理的表面上的接触部的半导体发光器件

摘要

一种器件包括半导体结构，所述半导体结构包括布置在n型区域（22）与p型区域（26）之间的发光层（24）。所述半导体结构包括n接触区域（23）和p接触区域（25）。所述n接触区域（23）的横截面包括多个第一区域（28），其中移除了部分所述发光层（24）和p型区域（26）以暴露所述n型区域（22）。所述多个第一区域（28）由其中所述发光层（24）和p型区域（26）仍存在于所述器件中的多个第二区域（27）分隔。所述器件还包括在所述p接触区域（25）中的半导体结构上形成的第一金属接触部（40）以及在所述n接触区域（23）中的半导体结构上形成的第二金属接触部（38）。所述第二金属接触部（38）与所述n接触区域（23）中的第二区域（27）中的至少一个电接触。

主权项

一种器件，包括：半导体结构，所述半导体结构包括：布置在n型区域与p型区域之间的发光层；n接触区域和p接触区域，其中所述n接触区域的横截面包括其中移除了部分所述发光层和所述p型区域以暴露所述n型区域的多个第一区域，其中所述多个第一区域由其中所述发光层和所述p型区域仍存在于所述器件中的多个第二区域分隔；以及布置在所述n接触区域与所述p接触区域之间的沟槽；在所述p接触区域中的半导体结构上形成的第一金属接触部；以及在所述n接触区域中的半导体结构上形成的第二金属接触部；其中，所述第二金属接触部与所述n接触区域中的第二区域中的至少一个电接触。