| 发明名称 | 一种带有硅纳米线绒面的非/微晶硅薄膜材料的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种带有硅纳米线绒面的非/微晶硅薄膜材料的制备方法，利用氢等离子体在氧化铟锡透明导电玻璃表面还原出一层铟金属纳米点，然后通入硅烷等前驱气体生长纳米线和薄膜，最终得到产品。本发明能够在一百摄氏度以下一次性制得非/微晶硅薄膜和硅纳米线绒面，避免使用贵金属催化剂，工艺简单，易于操作，成本较低，可以高效大规模应用于传统非/微晶硅薄膜生产线上。 | ||
| 申请公布号 | CN102800749A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201210244449.3 | 申请日期 | 2012.07.14 |
| 申请人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明人 | 魏钰;左潇;陈龙威;孟月东 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人 | 余成俊 |
| 主权项 | 一种带有硅纳米线绒面的非/微晶硅薄膜材料的制备方法，其特征在于：在一百度以下低温下，对硅烷、氢气、保护气的混合气体进行等离子体放电，轰击氧化铟锡透明导电玻璃表面一步制成带硅纳米线绒面的非/微晶硅薄膜。 | ||
| 地址 | 230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号 | ||