抑制具有STI的硅片缺陷的方法及在硅片上构造STI的方法

摘要

本发明公开了一种抑制具有浅沟道隔离槽(STI)的硅片缺陷的方法，在硅片的硅基底(101)上依次沉积衬垫氧化物层(103)，氮化硅层(104)；将光刻胶覆盖在硅片表面并进行图样转印过程处理，以光刻胶为掩膜对所述氮化硅、衬垫氧化物以及硅片进行蚀刻构造出底部在硅基底(101)中的浅沟道隔离槽结构，其特征在于，在所述硅片上沉积氮化硅层(104)之后，且将光刻胶覆盖在硅片表面并进行图样转印过程处理之前，包括如下步骤：对所述硅片进行第一退火处理，以消除硅片的内应力。本发明还公开了其他的抑制具有STI的硅片缺陷的方法以及在硅片上构造STI的方法。本发明方案可以有效消除硅片的内应力，从而抑制由于内应力导致的STI边角处的微裂纹以及硅基底表面缺陷的产生。

主权项

一种抑制具有浅沟道隔离槽的硅片缺陷的方法，在硅片的硅基底（101）上依次沉积衬垫氧化物层（103），氮化硅层（104）；将光刻胶覆盖在硅片表面并进行图样转印过程处理，以光刻胶为掩膜对所述氮化硅、衬垫氧化物以及硅片进行蚀刻构造出底部在硅基底（101）中的浅沟道隔离槽结构，其特征在于，在所述硅片上沉积氮化硅层（104）之后，且将光刻胶覆盖在硅片表面并进行图样转印过程处理之前，包括如下步骤：对所述硅片进行第一退火处理，以消除硅片的内应力，所述对所述硅片进行第一退火处理包括：将硅片从室温加热到700至800摄氏度，保持温度恒定一段时间，然后再按照相同的速度将硅片恢复到室温，整个过程所需的时间为80秒至110秒。