发明名称 | 太阳能电池及其制造方法 | ||
摘要 | 公开了具有良好电池特性的太阳能电池、以及该太阳能电池的制造方法。具体地,公开了包括至少一层光电转换元件的太阳能电池的制造方法,在这些层中由微晶硅膜构成的i型硅层设置在n型硅层和p型硅层之间,并且基板侧n型硅层或p型硅层由非晶硅膜构成。在该方法中,通过将含硅烷气体和氢气的混合气体引入腔室的等离子体CVD法来形成光电转换元件,并且在基板侧n型硅层或p型硅层与i型硅层之间形成由微晶硅膜构成的籽晶层。籽晶层在与基板侧n型硅层或p型硅层接触的部分中具有比i型硅层低的结晶率,并且继续至结晶率朝着i型硅层阶段性地或逐渐地增大的i型硅层。 | ||
申请公布号 | CN102804394A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
申请号 | CN201080065423.1 | 申请日期 | 2010.09.08 |
申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 大濑直之;竹中研介 |
分类号 | H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张鑫 |
主权项 | 一种具有至少一层或多层光电转换元件的太阳能电池,在所述层中由微晶硅膜构成的i型硅层设置在n型硅层和p型硅层之间,所述太阳能电池的特征在于,所述光电转换元件使得置于基板侧的所述n型硅层或p型硅层由非晶硅膜构成,以及由微晶硅膜构成的籽晶层设置在置于所述基板侧的所述n型硅层或p型硅层与所述i型硅层之间,其中与置于所述基板侧的所述n型硅层或p型硅层接触的部分的结晶率低于所述i型硅层的结晶率,并且所述结晶率朝着所述i型硅层侧、继续至所述i型硅层连续地或分两个或更多个阶段逐渐地增大。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |