用于制造磁记录头中窄线结构的方法和系统

摘要

本发明描述了一种用于制造在磁记录头中结构的方法。在用于结构的层上提供第一和第二硬掩膜层。在第二硬掩膜层上提供底层抗反射涂（BARC）层和具有图案的光致抗蚀剂掩膜。该图案包括与结构相对应的线路。利用蚀刻化学以单一蚀刻将该图案转移到底层抗反射涂层（BARC）和第二硬掩膜层。利用和第一蚀刻化学大致相同的蚀刻化学修剪至少第二硬掩膜层。形成包括与线路相对应的硬掩膜线路以及宽度少于三十纳米的掩膜。第二硬掩膜的图案转移到第一硬掩膜层。第一硬掩膜层的图案转移到使得结构具有大致宽度的层。

主权项

一种从至少一个与一结构相对应的层形成在磁记录头中的所述结构的方法，该方法包括：在至少一个层上提供第一硬掩膜层；在第一掩膜层上提供第二硬掩膜层；在第二硬掩膜层上提供底层抗反射涂层，即BARC层；在第二硬掩膜层上提供具有图案的光致抗蚀剂掩膜，所述图案包括与所述结构相对应的线路；利用第一蚀刻化学以单一蚀刻转移图案到所述底层抗反射涂层；利用与第一蚀刻化学大致相同的第二蚀刻化学修剪至少所述第二硬掩膜层，以提供包括与线路相对应的硬掩膜线路和宽度小于三十纳米的掩膜；转移所述第二硬掩膜的图案到所述第一硬掩膜层；以及转移所述第一硬掩膜层的图案到至少一个使得结构具有大致相同宽度的层。