层叠型半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供层叠型半导体装置及其制造方法。实施方式的层叠型半导体装置具备：具有第1凸起电极的第1半导体芯片；具有第2凸起电极的第2半导体芯片。一边将凸起电极彼此连接，一边层叠第1及第2半导体芯片。在第1及第2半导体芯片的至少一方，设置阻挡用突起和粘接用突起。阻挡用突起与第1及第2半导体芯片的另一方以非粘接状态接触。粘接用突起与第1及第2半导体芯片粘接。

主权项

一种层叠型半导体装置，其特征在于，具备：第1半导体芯片，其具有具备第1连接区域和除上述第1连接区域以外的第1非连接区域的第1表面；第2半导体芯片，其具有具备与上述第1连接区域对向的第2连接区域和除上述第2连接区域以外的第2非连接区域的第2表面，层叠在上述第1半导体芯片上；第1凸起连接部，其设置在上述第1表面的上述第1连接区域和上述第2表面的上述第2连接区域之间，以电气连接上述第1半导体芯片和上述第2半导体芯片；阻挡用突起，其在上述第1表面的上述第1非连接区域及上述第2表面的上述第2非连接区域的至少一方的区域局部地设置，且与上述第1非连接区域及上述第2非连接区域的另一方的区域以非粘接状态接触；粘接用突起，其在上述第1表面的上述第1非连接区域和上述第2表面的上述第2非连接区域之间局部地设置，与上述第1及第2表面粘接；和底部填充树脂，其在上述第1半导体芯片的上述第1表面和上述第2半导体芯片的上述第2表面之间的间隙填充。