| 摘要 |
Der Rückseitenfeld-Typ einer Heteroübergangssolarzelle gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst ein kristallines Siliziumsubstrat eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps, die in der Oberschicht des Substrats vorgesehen ist, einen Entspiegelungsfilm, der auf der Vorderseite des Substrats vorgesehen ist, eine intrinsische Schicht, die auf der Rückseite des Substrats vorgesehen ist, amorphe Halbleiterschichten des ersten Leitfähigkeitstyps und amorphe Halbleiterschichten des zweiten Leitfähigkeitstyps, die wiederholt abwechselnd auf der intrinsischen Schicht angeordnet sind, und Elektroden des ersten Leitfähigkeitstyps und Elektroden des zweiten Leitfähigkeitstyps, die jeweils auf den amorphen Halbleiterschichten des ersten Leitfähigkeitstyps und den amorphen Halbleiterschichten des zweiten Leitfähigkeitstyps vorgesehen sind. |
