Silicium-auf Isolator-Hybridwafer mit Doppel-Box-Rückgate und Kanälen mit verbesserter Beweglichkeit

摘要

Eine Halbleiterwaferstruktur für integrierte Schaltungseinheiten beinhaltet ein Vollsubstrat; eine auf dem Vollsubstrat ausgebildete untere Isolationsschicht; eine auf der unteren Isolationsschicht ausgebildete elektrisch leitende Rückgate-Schicht; eine auf der Rückgate-Schicht ausgebildete obere Isolationsschicht; und eine auf der oberen Isolationsschicht ausgebildete Halbleiter-auf-Isolator-Hybridschicht, wobei die Halbleiter-auf-Isolator-Hybridschicht einen ersten Abschnitt, der eine erste Kristallorientierung aufweist, und einen zweiten Abschnitt umfasst, der eine zweite Kristallorientierung aufweist.