Leistungshalbleiterbauteil

摘要

Bei einem Leistungshalbleiterbauteil zum Durchführen eines Schaltbetriebs mit einer hohen Geschwindigkeit, fließt beim Schalten ein Verschiebungsstrom, so dass eine hohe Spannung in Verbindung mit einem Widerstand eines Pfads von diesem entsteht und ein dielektrischer Durchschlag in einer dünnen Isolierschicht wie etwa einer Gate-Isolierschicht aufgrund der Spannung auftritt und das Halbleiterbauteil in manchen Fällen deshalb einen Ausfall erleidet. In einem Halbleiterbauteil nach der vorliegenden Erfindung ist ein in einem Außenumfangsabschnitt des Leistungshalbleiterbauteils vorgesehene Wannenzone des p-Typs in zwei Teile unterteilt, nämlich eine Innenseite und eine Außenseite, und eine Feldoxidschicht mit einer größeren Schichtdicke als die Gate-Isolierschicht ist auf einer Wannenzone an der Außenseite zu einer Innenseite eines Innenumfangs der Wannenzone vorgesehen. Deshalb ist es möglich, in der Gate-Isolierschicht einen dielektrischen Durchschlag aufgrund der Spannung, die beim Schalten durch den Fluss des Verschiebungsstroms entsteht, zu verhindern.