Extrem-dünner-Halbleiter-auf-Isolator(ETSOI)-FET mit einem Rück-Gate und verringerter Parasitärkapazität sowie Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Eine extrem-dünner-SOI-MOSFET-Einheit auf einem SOI-Substrat ist mit einer Rück-Gate-Schicht auf einem Si-Substrat, bedeckt mit einer dünnen BOX-Schicht; einer extrem dünnen SOI-Schicht (ETSOI) auf der dünnen BOX-Schicht; und einer FET-Einheit auf der ETSOI-Schicht, die einen durch Abstandshalter isolierten Gate-Stapel aufweist, versehen. Das dünne BOX ist unter dem ETSOI-Kanal gebildet und ist miin versehen, um die Parasitärkapazität von Source/Drain zu Rück-Gate zu verringern. Der dickere dielektrische Abschnitt ist gegenüber dem Gate selbstausgerichtet. Innerhalb des dickeren dielektrischen Abschnitts wird ein Hohlraum unter dem Source/Drain-Gebiet gebildet. Das Rück-Gate wird durch ein Gebiet eines durch Implantation geschädigten Halbleiters und das Bilden einer isolierenden Schicht durch laterales Ätzen und Rückfüllen mit Dielektrikum festgelegt.