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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbidhalbleiterbauteils
摘要
申请公布号 DE112010001476(T8) 申请公布日期 2012.11.22
申请号 DE201011001476T 申请日期 2010.03.10
申请人 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 发明人 FURUHASHI, MASAYUKI;IMAIZUMI, MASAYUKI;TANIOKA, TOSHIKAZU
分类号 H01L29/78;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/318;H01L21/336;H01L29/12 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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