| 摘要 |
Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit: einem Schritt zum Ausbilden einer Mehrzahl von MOSFETs, von denen jeder einen Kanal eines ersten Leitungstyps aufweist, in einem Streifen auf der ersten Hauptoberfläche eines Wafers (11), einem Schritt des Implantierens einer Verunreinigung eines ersten Leitungstyps in die zweite Hauptoberfläche des Wafers (11) zum Ausbilden einer Pufferschicht (21) und des Durchführens einer Laserausheilungsbehandlung in einem Streifen, unter Auslassung von äquidistanten Spalten, zum Ausbilden einer Pufferschicht (21), in der die implantierten Verunreinigungen in einem Streifen aktiviert sind, einem Schritt des Implantierens einer Verunreinigung eines zweiten Leitungstyps in die zweite Hauptoberfläche des Substrates nach dem Ausbilden der Pufferschicht (21) und des Durchführens einer Laserausheilungsbehandlung auf der gesamten Oberfläche der zweiten Hauptoberfläche zum Ausbilden einer Kollektorschicht (22) und zum Aktivieren der Pufferschicht (21), und einem Schritt des Ausbildens einer Emitterelektrode (23) auf der ersten Hauptoberfläche und des Ausbildens einer Kollektorelektrode (24) auf der...
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