发明名称 液体高度测量装置及其锡槽控制系统
摘要 本创作为一种液体高度测量装置及其锡槽控制系统。液体高度测量装置系用于锡槽。锡槽具有锡池及马达,马达系放置于锡池内以产生锡波。液体高度测量装置包括浮体、连接元件及测量机构。浮体系接触于锡池或锡波,以随着锡池或锡波之高度而浮动。连接元件系连接于浮体,以根据浮体之作动而移动。测量机构系连接于连接元件,以藉由连接元件之作动得到高度讯号,以得知锡池或锡波之高度。
申请公布号 TWM441818 申请公布日期 2012.11.21
申请号 TW101211617 申请日期 2012.06.15
申请人 纬创资通股份有限公司 发明人 董英杰;彭国荣;赖允平;张斌斌;陈龙;谭伟
分类号 G01F23/56 主分类号 G01F23/56
代理机构 代理人 陈启桐 台北市大安区和平东路2段40号6楼;廖和信 台北市大安区和平东路2段40号6楼
主权项 一种液体高度测量装置,系用于一锡槽,该锡槽具有一锡池及一马达,该马达系放置于该锡池内以产生一锡波,该液体高度测量装置包括:一浮体,系接触于该锡池或该锡波,以随着该锡池或该锡波之高度而浮动;一连接元件,系连接于该浮体,以根据该浮体之作动而移动;以及一测量机构,系连接于该连接元件,以藉由该连接元件之作动得到一高度讯号,以得知该锡池或该锡波之高度。如申请专利范围第1项所述之液体高度测量装置,其中该测量机构包括:一固定架,系固接于该锡槽;一金属弹片,具有一主体、一第一端及一第二端,该主体系连接于该连接元件,该第一端系连接于该固定架;以及复数之电性连接点,系设置于该固定架内,并接触至该金属弹片之该第二端;其中当该浮体浮动时,该金属弹片系根据该连接元件之作动而旋转,使得该金属弹片之该第二端系接触至该复数之电性连接点之其中一电性连接点,以产生该高度讯号。如申请专利范围第2项所述之液体高度测量装置,其中该复数之电性连接点系设置于一弧形电路板上。如申请专利范围第1项所述之液体高度测量装置,其中该测量机构包括:一固定架,系固接于该锡槽,该固定架系连接该连接元件并形成一密闭空间;一流体,系设置于该密闭空间内;一压力感测模组,系设置于该密闭空间内,并接触于该流体;其中当该浮体浮动时,该密闭空间系根据该连接元件之作动而改变容积,以改变该流体之压力,使得该压力感测模组根据该流体之压力以产生该高度讯号。如申请专利范围第4项所述之液体高度测量装置,其中该压力感测模组系为一力敏电阻。一种锡槽控制系统,系用于一锡槽,该锡槽具有一锡池及一马达,该马达系放置于该锡池内以产生一锡波,该锡槽控制系统包括:一控制装置,具有一处理单元;以及一液体高度测量装置,系电性连接于该控制装置,该液体高度测量装置包括:一浮体,系接触于该锡池或该锡波,以随着该锡池或该锡波之高度而浮动;一连接元件,系连接于该浮体,以根据该浮体之作动而移动;以及一测量机构,系连接于该连接元件,以藉由该连接元件之作动以得到一高度讯号并传输至该控制装置之该处理单元。如申请专利范围第6项所述之锡槽控制系统,其中该测量机构包括:一固定架,系固接于该锡槽;一金属弹片,具有一主体、一第一端及一第二端,该主体系连接于该连接元件,该第一端系连接于该固定架;以及复数之电性连接点,系设置于该固定架内,并接触至该金属弹片之该第二端;其中当该浮体浮动时,该金属弹片系根据该连接元件之作动而旋转,使得该金属弹片之该第二端系接触至该复数之电性连接点之其中一电性连接点,以产生该高度讯号,并传输至该控制装置之该处理单元。如申请专利范围第7项所述之锡槽控制系统,其中该复数之电性连接点系设置于一弧形电路板上。如申请专利范围第6项所述之锡槽控制系统,其中该测量机构包括:一固定架,系固接于该锡槽,该固定架系连接该连接元件并形成一密闭空间;一流体,系设置于该密闭空间内;以及一压力感测模组,系设置于该密闭空间内,并接触于该流体;其中当该浮体浮动时,该密闭空间系根据该连接元件之作动而改变容积,以改变该流体之压力,使得该压力感测模组根据该流体之压力以产生该高度讯号,以传输至该控制装置之该处理单元。如申请专利范围第9项所述之锡槽控制系统,其中该压力感测模组系为一力敏电阻。如申请专利范围第6项所述之锡槽控制系统,其中该处理单元进一步设定一锡池最高高度、一锡池最低高度、一锡波最高高度及一锡波最低高度。如申请专利范围第11项所述之锡槽控制系统,该控制装置进一步电性连接一锡棒添加装置,其中当该处理单元判断该锡池之高度低于该锡池最低高度时,该处理单元系控制该锡棒添加装置添加一锡棒至该锡槽内。如申请专利范围第11项所述之锡槽控制系统,其中:当该处理单元判断该锡池之高度低于该锡池最低高度或该锡波之高度低于该锡波最低高度时,该处理单元系控制该马达增加运转功率以提高该锡波之高度;以及当该处理单元判断该锡池之高度高于该锡池最高高度或该锡波之高度高于该锡波最高高度时,该处理单元系控制该马达减低运转功率以降低该锡波之高度。如申请专利范围第11项所述之锡槽控制系统,其中该控制装置更包括一输出入连接埠,用以传输该锡池或该锡波高度至一电子装置。如申请专利范围第14项所述之锡槽控制系统,其中当该处理单元判断该锡池之高度低于该锡池最低高度、该锡池之高度高于该锡池最高高度、该锡波之高度低于该锡波最低高度或该锡波之高度高于该锡波最高高度时,该处理单元系经由该输出入连接埠传输一警告讯号至该电子装置。如申请专利范围第6项所述之锡槽控制系统,其中该控制装置更包括一显示模组,用以显示该锡池或该锡波高度。
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