发明名称 多向性倾斜开关
摘要 一种多向性倾斜开关,包含一壳体、数导电端子,及至少一导体。该壳体具有界定出一容室的一内表面,及形成在一外表面的至少二凹槽。该等导电端子分别具有插置且隐藏在该凹槽内的一嵌置部、穿置在该容室内的一导接部,及形成在反向于该导接部的一面且透过该凹槽显露在该壳体外的一第一接着面。该导体容置在该容室内,在与任二导接部接触的一第一位置,及不同时接触任二导接部的一第二位置间移动。藉此,利用隐藏式的嵌置部及显露的第一接着面,在不影响导接面积的情形下,缩减整体的高度及占用的空间,进而提升空间效益。
申请公布号 TWM441924 申请公布日期 2012.11.21
申请号 TW101214792 申请日期 2012.07.31
申请人 大日科技股份有限公司 发明人 周添铭
分类号 H01H35/02 主分类号 H01H35/02
代理机构 代理人 高玉骏 台北市松山区南京东路3段248号7楼;杨祺雄 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 一种多向性倾斜开关,包含:一壳体,具有界定出一容室的一内表面,及形成在一外表面的至少二凹槽;数导电端子,分别具有插置且隐藏在该凹槽内的一嵌置部、穿置在该容室内的一导接部,及形成在反向于该导接部的一面且透过该凹槽显露在该壳体外的一第一接着面;及至少一导体,容置在该容室内,在与任二导接部接触的一第一位置,及不同时接触任二导接部的一第二位置间移动。依据申请专利范围第1项所述之多向性倾斜开关,其中,该等导电端子更具有形成在该嵌置部一侧面且面向该壳体的至少一纹路。依据申请专利范围第2项所述之多向性倾斜开关,其中,该等导电端子的导接部呈阵列排列。依据申请专利范围第1项所述之多向性倾斜开关,其中,该等导电端子分别沿一Z轴方向穿置在该壳体,且该等导接部分别相隔一间距,及沿该Z轴方向的高度大于1/3容室深度,该导体的最大径宽大于前述间距。依据申请专利范围第1项所述之多向性倾斜开关,其中,该等凹槽分别沿一Z轴方向具有一深度,及沿与该Z轴垂直的一X轴方向延伸,该等导电端子的嵌置部分别沿该X轴方向延伸,且同一X轴方向上该等嵌置部的长度总合大于1/2壳体长度。依据申请专利范围第1项所述之多向性倾斜开关,其中,该等导电端子还具有形成在一侧且透过该凹槽显露在该壳体外的一第二接着面。依据申请专利范围第6项所述之多向性倾斜开关,其中,该第一接着面与该第二接着面与该壳体外表面的间距界于0~1mm。依据申请专利范围第1项所述之多向性倾斜开关,其中,该等导电端子更具有形成在该第一接着面的一凹穴。依据申请专利范围第1项所述之多向性倾斜开关,其中,该壳体更具有形成在该内表面且位于该等导电端子导接部间的一凹部,使该导体受限于该凹部而稳定于该第二位置。依据申请专利范围第1项所述之多向性倾斜开关,其中,该壳体更具有沿一Z轴方向相互对合且界定出该容室的一壳座与一壳盖、形成在该壳座与该壳盖间且环绕该Z轴的一第一熔接部、垂直该Z轴且形成在该第一熔接部一端侧的至少一第二熔接部,及形成在该第一熔接部一周侧的至少一第三熔接部。依据申请专利范围第10项所述之多向性倾斜开关,其中,该壳座具有环绕该Z轴的一环壁,该环壁具有环绕该Z轴且构成该第一熔接部的一内表面、垂直该Z轴形成在该内表面且构成该第二熔接部的至少一阶面,及垂直该Z轴且构成该第三熔接部的一端面。依据申请专利范围第11项所述之多向性倾斜开关,其中,该壳盖具有沿该Z轴方向突出的一凸部、环绕该Z轴形成在该凸部一外表面的一熔接周面、形成在该凸部一端面的一熔接端面,及围绕该凸部的一环缘,该环缘与该壳座的端面熔接,而共构该第三熔接部,该熔接周面与该壳座的内表面熔接,而共构该第一熔接部,该熔接端面与该壳座的阶面熔接,而共构该第二熔接部。
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