| 主权项 |
一种雷射装置，其包括：一具有一上表面及一下表面的半导体基板，该上表面具有形成于其中之一上反射面、一绕射透镜、及一成角度反射镜，该下表面具有形成于其中之一下反射面；一边射型雷射，形成于该半导体基板中，用以沿一发射轴向该基板发射一发散光束，该发射轴与该上反射面及该下反射面实质平行，并与该成角度反射面以一非零角度交叉；及其中该雷射、成角度反射面、上反射面、下反射面及绕射透镜经相互定位以使该发散光束之一第一部分直接照射该上反射面，而该发散光束之一第二部分直接照射该成角度反射面；且该成角度反射面将该等照射之第一及第二部分反射于该下反射面上，该下反射面又将其反射透过该绕射透镜。根据请求项1之雷射装置，其中该上表面具有一形成于其中的凹槽，而该成角度反射面为该凹槽之一壁。根据请求项1之雷射装置，其中该基板位于该雷射与该成角度反射面之间的部分系一自由传播区域，该光束经由该区域传播。根据请求项1之雷射装置，其中该基板被掺杂InP。根据请求项1之雷射装置，其中该雷射之n及p电触点被配置于该半导体基板之该上表面上。一种制造一雷射装置之方法，其包括：在一半导体基板之一上表面中形成一上反射面；在一半导体基板之一上表面中形成一绕射透镜；在一半导体基板之一上表面中形成一成角度反射面；在该半导体基板之一下表面中形成一下反射面；在该半导体基板中形成一边射型雷射，该雷射经定位以沿一发射轴向该基板发射一发散光束，该发射轴与该上反射面及该下反射面实质平行，且以一非零角度与该成角度反射面交叉；及其中该雷射、成角度反射面、上反射面、下反射面及绕射透镜经相互定位以使该发散光束之一第一部分直接照射该上反射面，使该发散光束之一第二部分直接照射该成角度反射面；且其中该成角度反射面将该等照射之第一及第二部分反射于该下反射面上，该下反射面则将其反射透过绕射透镜。根据请求项6之方法，其进一步包括选择一光束孔径及使该雷射、该成角度反射面、上反射面、下反射面及绕射透镜经相互定位之步骤，以使该等第一与第二部分在通过该绕射透镜时合并为一束具有该所选择孔径的光束。根据请求项6之方法，其中在一半导体基板之一上表面中形成一绕射透镜之步骤包括：在该半导体基板上表面中形成一凹槽。根据请求项6之方法，其中在一半导体基板之一上表面中形成一绕射透镜之步骤包括半导体蚀刻。根据请求项6之方法，其中形成一边射型雷射之步骤包括：在该半导体基板之该上表面上形成一p电触点及一n电触点。根据请求项6之方法，其中形成一边射型雷射之步骤包括：在该半导体基板之该上表面上形成一多量子井作用区。根据请求项6之方法，其进一步包括为该雷射装置之一上表面涂布一抗反射涂层。 |
