| 主权项 |
一种基板之支撑板，是将半导体晶圆等基板薄片化时贴附于基板的支撑板，其特征为：该支撑板的直径系与基板相同或大于基板，且在厚度方向形成有可透过溶剂的多数贯穿孔；上述贯穿孔的直径为0.3mm至0.5mm，上述贯穿孔的间距为0.5mm至1.0mm。一种支撑板之剥离方法，是将申请专利范围第1项之支撑板从基板剥离的方法，其特征为：从支撑板的外侧，供给用以溶解黏接支撑板和基板之黏接剂的溶剂，使上述溶剂经由支撑板的贯穿孔到达黏接剂，将硬化的黏接剂溶解后，将支撑板从基板剥离；上述溶剂的供给是藉由喷洒、超音波喷嘴或二流体喷嘴来进行、或是浸渍于充满溶剂的槽中来进行。一种支撑板之剥离方法，是将申请专利范围第1项之支撑板从基板剥离的方法，其特征为：将支撑板贴设于黏贴切割胶带的框架后，从支撑板的外侧，供给用以溶解黏接支撑板和基板之黏接剂的溶剂，使溶剂经由支撑板的贯穿孔到达黏接剂，将硬化的黏接剂溶解后，将支撑板从基板剥离；上述溶剂的供给是藉由喷洒、超音波喷嘴或二流体喷嘴来进行、或是浸渍于充满溶剂的槽中来进行。一种支撑板之剥离方法，是将申请专利范围第1项之支撑板从基板剥离的方法，其特征为：从支撑板的外侧，供给用以溶解黏接支撑板和基板之黏接剂的溶剂，使上述溶剂经由支撑板的贯穿孔到达黏接剂，将硬化的黏接剂溶解后，将支撑板从基板剥离；上述溶剂是醇、酮、醇和酮的混合溶液、或将这些用水稀释之溶液之任一者。一种支撑板之剥离方法，是将申请专利范围第1项之支撑板从基板剥离的方法，其特征为：将支撑板贴设于黏贴切割胶带的框架后，从支撑板的外侧，供给用以溶解黏接支撑板和基板之黏接剂的溶剂，使溶剂经由支撑板的贯穿孔到达黏接剂，将硬化的黏接剂溶解后，将支撑板从基板剥离；上述溶剂是醇、酮、醇和酮的混合溶液、或将这些用水稀释之溶液之任一者。如申请专利范围第4或5项之支撑板之剥离方法，其中，上述溶剂是温度调整到25℃至50℃之任一温度后再供给。一种支撑板之剥离方法，是将申请专利范围第1项之支撑板从基板剥离的方法，其特征为：从支撑板的外侧，供给用以溶解黏接支撑板和基板之黏接剂的溶剂，使上述溶剂经由支撑板的贯穿孔到达黏接剂，将硬化的黏接剂溶解后，将支撑板从基板剥离；将上述溶剂供给至旋转或振动状态的支撑板，或是供给溶剂后，再使支撑板旋转或振动。一种支撑板之剥离方法，是将申请专利范围第1项之支撑板从基板剥离的方法，其特征为：将支撑板贴设于黏贴切割胶带的框架后，从支撑板的外侧，供给用以溶解黏接支撑板和基板之黏接剂的溶剂，使溶剂经由支撑板的贯穿孔到达黏接剂，将硬化的黏接剂溶解后，将支撑板从基板剥离；将上述溶剂供给至旋转或振动状态的支撑板，或是供给溶剂后，再使支撑板旋转或振动。一种支撑板之剥离方法，是将半导体晶圆等基板薄片化时贴附于基板的支撑板，而该支撑板的直径系与基板相同或大于基板，且在厚度方向形成有可透过溶剂的多数贯穿孔，由陶瓷所构成的支撑板从基板剥离的方法，其特征为：从支撑板的外侧，供给用以溶解黏接支撑板和基板之黏接剂的溶剂，使上述溶剂经由支撑板的贯穿孔到达黏接剂，将硬化的黏接剂溶解后，将支撑板从基板剥离；将上述溶剂供给至旋转或振动状态的支撑板，或是供给溶剂后，再使支撑板旋转或振动。一种支撑板之剥离方法，是将半导体晶圆等基板薄片化时贴附于基板的支撑板，而该支撑板的直径系与基板相同或大于基板，且在厚度方向形成有可透过溶剂的多数贯穿孔，由陶瓷所构成的支撑板从基板剥离的方法，其特征为：将支撑板贴设于黏贴切割胶带的框架后，从支撑板的外侧，供给用以溶解黏接支撑板和基板之黏接剂的溶剂，使溶剂经由支撑板的贯穿孔到达黏接剂，将硬化的黏接剂溶解后，将支撑板从基板剥离；将上述溶剂供给至旋转或振动状态的支撑板，或是供给溶剂后，再使支撑板旋转或振动。 |
