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一种防反射膜形成组合物，其特征系由固形物及溶剂所构成，且前述固形物中，硫原子所占比例为5~25质量%的防反射膜形成组合物，其中前述固形物系包含：含有8~30质量%之含硫原子的聚合物、交联性化合物及酸化合物，前述聚合物系由各自具有硫原子之丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物及苯乙烯化合物所成群组中，选择至少一种化合物所制造的聚合物、由具有二个硫代基之化合物及二个环氧基之化合物所制造的聚合物、或具有噻吩环构造之聚合物，前述交联性化合物系选自具有交联形成取代基之三聚氰胺系化合物及取代尿素系化合物的交联性化合物，前述酸化合物系i)芳香族磺酸化合物；及ii)选自藉由热或光以产生酸之酸产生剂的酸化合物。一种防反射膜，其特征为：将申请专利范围第1项之防反射膜形成组合物，涂覆于基板上并煅烧所制得之防反射膜，对于F2准分子雷射(Excimer Lasers，波长157nm)之衰减系数为0.20~0.50。一种使用于半导体装置制造上之光阻图案的形成方法，其特征为：包含将申请专利范围第1项之防反射膜形成组合物，涂覆于半导体基板上，经煅烧而形成防反射膜之步骤；于前述防反射膜上形成光阻层之步骤；将以前述防反射膜及前述光阻层覆盖之半导体基板曝光之步骤；以及曝光后将光阻层显影之步骤。如申请专利范围第3项之光阻图案的形成方法，其中前述曝光系以F2准分子雷射(波长157nm)进行。 |
