动态随机存取记忆体元件包

摘要

一动态随机存取记忆体元件包(DRAM cell)，包括基板、电晶体、以及电容。基板系为半导体材料所构成，具有一主体表面；电晶体形成于主体表面；电容，形成于一金属层，且金属层位于电晶体之上方。电晶体包括源极区域、汲极区域、以及控制闸极。源极区域及汲极区域形成于基板的主体表面，控制闸极位于源极区域与汲极区域之间，控制闸极与基板之间以一薄控制介电层相隔。电容包括第一电极、形成于第一电极上之介电层、以及形成于介电层上之第二电极。此动态随机存取记忆体元件包可提高密度，简化制程。一形成于复数层金属层之动态随机存取记忆体元件包亦在此揭露。

主权项

一动态随机存取记忆体元件包(DRAM cell)，包含：一基板，系为半导体材料所构成，具有一主体表面；一电晶体，形成于该主体表面；一金属层，位于该电晶体之上方，该金属层包含复数个电极；以及一电容，设置于该金属层中，且形成于该复数个电极之间。如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体元件包，其中该电晶体包含：一源极区域；一汲极区域；以及一控制闸极，位于该源极区域与该汲极区域之间，该控制闸极与该基板之间以一薄控制介电层相隔。如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体元件包，其中该电容包含：一第一电极；一介电层，形成于该第一电极之上；以及一第二电极，形成于该介电层之上。如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体元件包，其中更包含一线路区域，位于该电晶体与该电容之间，提供动态随机存取记忆体元件包之线路连接。一动态随机存取记忆体元件包(DRAM cell)，包含：一基板，系为半导体材料所构成，具有一主体表面；一电晶体，形成于该主体表面；一金属层，位于该电晶体之上方，该金属层包含一第一电极、一第二电极以及一第三电极；以及一电容，设置于该金属层中，且形成于该第一电极、该第二电极以及该第三电极之间。如申请专利范围第5项所述之动态随机存取记忆体元件包，其中该电晶体包含：一源极区域；一汲极区域；以及一控制闸极，位于该源极区域与该汲极区域之间，该控制闸极与该基板之间以一薄控制介电层相隔。如申请专利范围第5项所述之动态随机存取记忆体元件包，其中该电容更包含复数个介电层，其中该些介电层分别配置于两相邻之该第一电极、该第二电极以及该第三电极之间。如申请专利范围第5项所述之动态随机存取记忆体元件包，其中更包含一线路区域，位于该电晶体与该电容之间，提供动态随机存取记忆体元件包之线路连接。