电子装置及其形成之方法

摘要

本发明提供一种电子装置，其包括一基板及一上覆于该基板并界定一开口阵列之井结构。自一横截面图可见，该井结构在该等开口处具有一负斜率。自一平面图可见，每一开口对应于一有机电子组件。该开口阵列中之每一开口具有一宽度，且该开口阵列中之两直接邻近之开口藉由一具有一小于每一开口之宽度之宽度的通道来连接。

主权项

一种电子装置，其包含：一基板；及一上覆该基板并界定一开口阵列之井结构，其中：自一横截面图可见，该井结构在该等开口处具有一负斜率；自一平面图可见，每一开口对应于一有机电子组件，该开口阵列中之每一开口具有一宽度；及该开口阵列中之两直接邻近之开口藉由一具有一小于每一开口之宽度之宽度的通道而连接。如请求项1之电子装置，进一步包含一位于该等两直接邻近开口中及该通道中之电极，其中该电极在该等沿该电极之两直接邻近开口之间，提供一导电路径。如请求项2之电子装置，其中该电极沿该开口阵列之一向量在有机电子组件之间，形成一导电路径。如请求项1之电子装置，其中该阵列中之每一开口具有一长度，其中该长度为大体上垂直于该宽度，且该宽度不大于该长度。如请求项1之电子装置，进一步包含一上覆该基板之通道结构，其中自一平面图可见，该通道结构定位于该等两直接邻近之开口之间及该通道内。如请求项5之电子装置，其中自一横截面图可见，该通道结构具有一正斜率。如请求项5之电子装置，其中自一横截面图可见，该通道结构之高度小于该井结构之高度。如请求项5之电子装置，其中该井结构之一部分上覆该通道结构之一部分。如请求项5之电子装置，其中该通道结构之一表面是疏水性的。一种电子装置，其包含：一基板；一上覆该基板并界定一开口阵列之第一结构，其中：自一横截面图可见，该第一结构在该等开口处具有一负斜率；自一平面图可见，每一开口对应于一有机电子组件；及两直接邻近之开口藉由一通道而连接；及一上覆于该基板并定位于该等两直接邻近开口之间及该通道中之第二结构。如请求项10之电子装置，其中自一横截面图可见，该第二结构具有一正斜率。如请求项10之电子装置，其中自一横截面图可见，该第二结构之高度小于该第一结构之高度。如请求项10之电子装置，进一步包含一位于该等两直接邻近开口中并上覆该第二结构之电极，其中该电极在该等沿该电极之两直接邻近开口之间，提供一导电路径。如请求项10之电子装置，其中该第二结构之一表面是疏水性的。如请求项10之电子装置，其中该有机组件包含一大体上位于每一开口中之有机活性层。如请求项10之电子装置，其中每一开口具有一宽度，其中该通道之宽度小于每一开口之宽度。一种用于形成一电子装置之方法，其包含以下步骤：在一基板上形成一井结构，该井结构界定一开口阵列，其中：自一横截面图可见，该井结构在该等开口处具有一负斜率；自一平面图可见，每一开口对应于一有机电子组件；该开口阵列中之每一开口具有一宽度；及该开口阵列中之两直接邻近之开口藉由一具有一小于每一开口之宽度之宽度的通道而连接；及沈积一有机活性层于该等开口中。如请求项17之方法，进一步包含形成一位于该等两直接邻近之开口中及位于该通道中之电极，其中该电极位于该等两直接邻近开口中与位于该等通道中之部分彼此连接，该电极在该等沿该电极之两直接邻近开口之间，形成一导电路径。如请求项17之方法，进一步包含形成一通道结构，其中自一平面图可见，该通道结构定位于该等两直接邻近之开口之间及该通道内。如请求项19之方法，进一步包含处理该通道结构之一表面，以使该表面为疏水性的。