发明名称 制造电路板之方法及电路板
摘要 本发明提供一种制造电路板之方法。该方法包括在一半导体基板中形成复数个第一孔,该等第一孔之各孔系敞开朝向该半导体基板的一前表面;用一绝缘层填充该复数个第一孔的一底部侧;用一第一导电层填充在其该底部侧上用该绝缘层所填充之该等第一孔;从该半导体基板之背部表面将其抛光,直至曝露填充在该复数第一孔内之个别绝缘层;及在该等经曝露绝缘层之各层内形成一第二孔以致达到该第一导电层,及藉由用该第二导电层填充各第二孔来形成一第二导电层以连接该第一导电层。
申请公布号 TWI377623 申请公布日期 2012.11.21
申请号 TW097105967 申请日期 2008.02.20
申请人 新力股份有限公司 发明人 中村卓矢
分类号 H01L21/3205 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种制造一电路板之方法,其包含:在一半导体基板中形成复数个第一孔,该等第一孔之各孔系敞开朝向该半导体基板的一前表面;用一绝缘层填充该复数个第一孔的一底部侧;用一第一导电层填充在其该底部侧上用该绝缘层所填充之该等第一孔;从该半导体基板之一背部表面将其抛光,直至填充在该复数个第一孔内之个别绝缘层被曝露;及在该等经曝露绝缘层之各层内形成一第二孔,以致达到该第一导电层,及藉由用该第二导电层填充各第二孔来形成一第二导电层以连接该第一导电层。如请求项1之制造电路板之方法,其中半导体基板抛光步骤包含:从该半导体基板之该背部表面将其抛光,直至曝露在该复数个第一孔之最深第一孔中的该绝缘层之一表面,及接着从该背部表面抛光该绝缘层及该半导体基板到达如该绝缘膜之厚度一样深。一种电路板,其包含:复数个第一孔,其系形成在一半导体基板中以延伸穿过该基板;绝缘层,其系形成在该复数个第一孔中之该半导体基板的一背部表面上,该背部表面及该等第一孔间之该等绝缘层厚度系不同;第二孔,其系形成在该等绝缘层中以连通该等第一孔;及一导电层,其系形成在该等第一孔及该等第二孔之内部以延伸穿过该半导体基板。
地址 日本