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一种黏性晶粒由晶圆分离之形成方法，主要包含以下步骤：提供一晶圆，包含复数个一体未分离的晶粒；形成一切割空隙在该些晶粒之间；转印一黏着层于该晶圆，其中该黏着层系形成于一可扩张膜；形成一预裂导槽于该黏着层，该预裂导槽系对准于该切割空隙并且不贯穿该黏着层；拉伸该可扩张膜，以使该黏着层沿着该预裂导槽之纹路予以分裂；以及由该可扩张膜取出该些贴附有已分裂黏着层之晶粒。如申请专利范围第1项所述之黏性晶粒由晶圆分离之形成方法，其中该晶圆系具有一积体电路形成表面以及一背面，该晶圆系更具有复数个位于该积体电路形成表面之焊垫。如申请专利范围第2项所述之黏性晶粒由晶圆分离之形成方法，其中该黏着层系转印于该晶圆之该背面。如申请专利范围第1或3项所述之黏性晶粒由晶圆分离之形成方法，其中上述形成该切割空隙在该些晶粒之间的步骤系实施在该黏着层之转印步骤之前并包含一晶圆半切割之步骤。如申请专利范围第4项所述之黏性晶粒由晶圆分离之形成方法，其中由上述晶圆半切割步骤中形成的切割空隙具有一小于该晶圆厚度之深度，并另包含一晶背研磨步骤，以使该些晶粒为分离。如申请专利范围第5项所述之黏性晶粒由晶圆分离之形成方法，其中在上述晶背研磨步骤之前，贴附一晶背研磨胶带于该晶圆并遮覆该切割空隙。如申请专利范围第6项所述之黏性晶粒由晶圆分离之形成方法，其中该晶背研磨胶带系在该黏着层之转印步骤之后予以移除。如申请专利范围第1项所述之黏性晶粒由晶圆分离之形成方法，其中在拉伸该可扩张膜之后，另包含之步骤为：丧失或减少该可扩张膜对该黏着层之黏性，以便于取出该些晶粒。如申请专利范围第8项所述之黏性晶粒由晶圆分离之形成方法，其中上述丧失或减少该可扩张膜之黏性之方法系包含紫外光照射。如申请专利范围第1项所述之黏性晶粒由晶圆分离之形成方法，其中该预裂导槽系具有U形截面。如申请专利范围第1项所述之黏性晶粒由晶圆分离之形成方法，其中该预裂导槽系具有V形截面。一种黏性晶粒由晶圆分离之形成方法，主要包含以下步骤：提供一晶圆，包含复数个一体未分离的晶粒；转印一黏着层于该晶圆，其中该黏着层系形成于一可扩张膜；同时形成一切割空隙在该些晶粒之间并形成一预裂导槽于该黏着层内，该预裂导槽系对准于该切割空隙并且不贯穿该黏着层；拉伸该可扩张膜，以使该黏着层沿着该预裂导槽之纹路予以分裂；以及由该可扩张膜取出该些贴附有已分裂黏着层之晶粒。如申请专利范围第12项所述之黏性晶粒由晶圆分离之形成方法，其中该晶圆系具有一积体电路形成表面以及一背面，该晶圆系更具有复数个位于该积体电路形成表面之焊垫，其中该黏着层系转印于该晶圆之该积体电路形成表面。如申请专利范围第12项所述之黏性晶粒由晶圆分离之形成方法，其中该切割空隙与该预裂导槽系由同一步骤中之切割刀具所形成。 |
