光罩及使用此制造半导体元件的方法

摘要

一种光罩包括形成于线型图案(41)与岛型图案(43)之间的点型图案(45)。使用此光罩制造半导体元件之方法改良该元件之良率及生产率。

主权项

一种光罩，其包含：第一图案；第二图案，其具有较第一图案长的CD；及安置于该第一图案与该第二图案之间的复数个个点型图案；其中每个点型图案具有随着该点型图案接近于该第二图案而增加的长度，且该长度同于或大于该第一图案之CD及该第二图案之CD之较小值。如申请专利范围第1项之光罩，其中该第一图案与该第二图案具有约3倍至约104倍之CD差异。如申请专利范围第1项之光罩，其中该第一图案及该第二图案中之每一者为线型图案及岛型图案中之一者。如申请专利范围第3项之光罩，其中该线型图案与该岛型图案共同形成测试图案。如申请专利范围第1项之光罩，其中该第一图案及该第二图案中之每一者为传导线及衬垫中之一者。如申请专利范围第1项之光罩，其中形成于该第一图案与该第二图案之间的该等点型图案之数目在约2至约30之范围内。如申请专利范围第1项之光罩，其中该等点型图案之间的距离大于0且小于1F，其中1F为能够藉由光微影术形成之最小宽度。如申请专利范围第1项之光罩，其中点型图案中之每一者具有相同于或大于该第一图案之CD及该第二图案之CD中之较小值的长度，且相邻点型图案之间的距离小于1F，其中1F为能够藉由光微影术形成之最小宽度。如申请专利范围第1项之光罩，其中该光罩为二元式遮罩及相位反转遮罩中之一者。如申请专利范围第9项之光罩，其中该二元式遮罩之遮蔽膜包含铬膜。如申请专利范围第9项之光罩，其中该相位反转遮罩为包含相位反转层与铬膜之多层结构，或为包含相位反转层之单层结构。一种制造半导体元件之方法，该方法包含：在半导体基板上形成下伏层；在该下伏层上形成光阻层；用光罩覆盖该光阻层，该光罩为申请专利范围第1项之光罩；用该光阻图案作为蚀刻遮罩来蚀刻该下伏层；及移除该光阻图案以形成下伏层图案。如申请专利范围第12项之方法，其中该光罩为二元式遮罩及相位反转遮罩中之一者。如申请专利范围第12项之方法，其中该曝光步骤系用不对称照明器来执行。如申请专利范围第12项之方法，其中该第一图案及该第二图案中之每一者为线型图案及岛型图案中之一者。如申请专利范围第12项之方法，其中该第一图案及该第二图案中之每一者为传导线及衬垫中之一者。