接点结构与其形成方法及其接合结构

摘要

一种设置在一基板上的接点结构，其包括一接垫、一高分子凸块以及一导电层。接垫位于基板上。高分子凸块配置于基板上，而且高分子凸块具有一弧状表面以及与弧状表面连接的一陡峭面。导电层覆盖高分子凸块，且与接垫电性连接。

主权项

一种接点结构，设置在一基板上，包括：至少一接垫，位于该基板上；至少一高分子凸块，配置于该基板上，该高分子凸块具有一邻近于该基板的底面、一弧状表面以及与该弧状表面连接的一徒峭面，该弧状表面与该陡峭面皆连接于该底面，且该陡峭面与该基板的夹角为30度至150度；以及至少一导电层，覆盖该高分子凸块的该弧状表面以及该陡峭面并覆盖该基板在该高分子凸块旁的部份，且与该接垫电性连接。如申请专利范围第1项所述之接点结构，其中该弧状表面上具有多个凹凸结构。如申请专利范围第1项所述之接点结构，其中该导电层全面覆盖或部分覆盖该高分子凸块。如申请专利范围第1项所述之接点结构，更包括一保护层，其配置于该基板上并暴露出该接垫。如申请专利范围第1项所述之接点结构，其中该高分子凸块配置于该接垫上或该基板上或同时跨越在该接垫上与该基板上。如申请专利范围第1项所述之接点结构，其中该高分子凸块的该弧状表面是往远离该基板的方向凸出。如申请专利范围第1项所述之接点结构，其中该高分子凸块的该弧状表面是往该基板的方向凹入。如申请专利范围第1项所述之接点结构，其中该导电层有一个或一个以上，覆盖在同一高分子凸块上，并分别与对应的接垫电性连接。如申请专利范围第1项所述之接点结构，其中该导电层有一个或一个以上，覆盖在同一高分子凸块上，并与同一接垫电性连接。如申请专利范围第1项所述之接点结构，其中位于该高分子凸块上的该导电层会与一个或一个以上的接垫电性连接。如申请专利范围第1项所述之接点结构，其中位于一个或一个以上的高分子凸块上的该导电层均与同一接垫电性连接。如申请专利范围第1项所述之接点结构，更包括一高分子保护层，位在该基板上且至少暴露出该高分子凸块以及该接垫。一种接点结构，设置在一基板上，包括：至少一接垫，位于该基板上；至少一高分子凸块，配置于该基板上，其中该高分子凸块具有一邻近于该基板的底面、一弧状表面、与该弧状表面连接的一顶部平面以及与该顶部平面连接的一陡峭面，该弧状表面与该陡峭面皆连接于该底面，该陡峭面与该基板的夹角为30度至150度；以及至少一导电层，覆盖该高分子凸块的该弧状表面、该顶部平面以及该陡峭面并覆盖该基板在该高分子凸块旁的部份，且与该接垫电性连接。如申请专利范围第13项所述之接点结构，其中该弧状表面上具有多个凹凸结构。如申请专利范围第13项所述之接点结构，其中该导电层全面覆盖或部分覆盖该高分子凸块。如申请专利范围第13项所述之接点结构，更包括一保护层，其配置于该基板上并暴露出该接垫。如申请专利范围第13项所述之接点结构，其该高分子凸块配置于该接垫上或该基板上或同时跨越在该接垫上与该基板上。如申请专利范围第13项所述之接点结构，其中该导电层有一个或一个以上，覆盖在同一高分子凸块上，并分别与对应的接垫电性连接。如申请专利范围第13项所述之接点结构，其中该导电层有一个或一个以上，覆盖在同一高分子凸块上，并与同一接垫电性连接。如申请专利范围第13项所述之接点结构，其中位于该高分子凸块上的该导电层会与一个或一个以上的接垫电性连接。如申请专利范围第13项所述之接点结构，其中位于一个或一个以上的高分子凸块上的该导电层均与同一接垫电性连接。如申请专利范围第13项所述之接点结构，其中该顶部平面具有多个凹凸结构或为一平滑结构。如申请专利范围第13项所述之接点结构，更包括一高分子保护层，位在该基板上且至少暴露出该高分子凸块以及该接垫。一种接合结构，包括：一第一基板，包括：至少一接垫；至少一高分子凸块，与该接垫对应设置，该高分子凸块具有一邻近于该基板的底面、一弧状表面以及与该弧状表面连接的一徒峭面，该弧状表面与该陡峭面皆连接于该底面，且该陡峭面与该基板的夹角为30度至150度；至少一导电层，覆盖该高分子凸块的该弧状表面以及该陡峭面并覆盖该基板在该高分子凸块旁的部份，且与该接垫电性连接；一第二基板，该第二基板上包括设置有至少一导电结构，其中该第一基板上的该导电层与该导电结构电性连接；以及一接合材料，位于该第一基板与该第二基板之间，且部分的该导电层与该高分子凸块贯穿该接合材料而与该导电结构接触。如申请专利范围第24项所述之接合结构，其中该接合材料包括紫外线固化接合材料、热固化接合材料、热塑化接合材料或是上述之组合。如申请专利范围第24项所述之接合结构，其中该接合材料包括非导电黏着膏、非导电黏着膜、异方性导电膏或异方性导电膜。如申请专利范围第24项所述之接合结构，其中该接合材料内更包括分布有填充颗粒。如申请专利范围第27项所述之接合结构，其中该些填充颗粒包括导电颗粒或是绝缘颗粒。一种接合结构，包括：一第一基板，包括：至少一接垫；至少一高分子凸块，与该接垫对应设置，该高分子凸块具有一邻近于该基板的底面、一弧状表面、与该弧状表面连接的一顶部平面以及与该顶部平面连接的一徒峭面，该弧状表面与该陡峭面皆连接于该底面，该陡峭面与该基板的夹角为30度至150度；至少一导电层，覆盖该高分子凸块的该弧状表面、该顶部平面以及该陡峭面并覆盖该基板在该高分子凸块旁的部份，且与该接垫电性连接；一第二基板，该第二基板上包括设置有至少一导电结构，其中该第一基板上的该导电层与该导电结构电性连接；以及一接合材料，位于该第一基板与该第二基板之间，且部分的该导电层与该高分子凸块贯穿该接合材料而与该导电结构接触。如申请专利范围第29项所述之接合结构，其中该接合材料包括紫外线固化接合材料、热固化接合材料、热塑化接合材料或是上述之组合。如申请专利范围第29项所述之接合结构，其中该接合材料包括非导电黏着膏、非导电黏着膜、异方性导电膏或异方性导电膜。如申请专利范围第29项所述之接合结构，其中该接合材料内更包括分布有填充颗粒。如申请专利范围第29项所述之接合结构，其中该些填充颗粒包括导电颗粒或是绝缘颗粒。一种形成接点结构的方法，包括：提供一基板，该基板上已形成有至少一接垫；在该基板上形成至少一高分子凸块，其中该高分子凸块具有一邻近于该基板的底面、一弧状表面以及与该弧状表面连接的一徒峭面，该弧状表面与该陡峭面皆连接于该底面，且该陡峭面与该基板的夹角为30度至150度；以及在该基板上形成一导电层，覆盖该高分子凸块的该弧状表面以及该陡峭面并覆盖该基板在该高分子凸块旁的部份且与该接垫接触。如申请专利范围第34项所述之接点结构的制程，其中形成该高分子凸块的方法包括使用灰阶光罩。一种形成接点结构的方法，包括：提供一基板，该基板上已形成有至少一接垫；在该基板上形成至少一高分子凸块，其中该高分子凸块具有一弧状表面；在该基板上形成至少一导电层，覆盖部分的该高分子凸块的该弧状表面；以及利用该导电层作为罩幕移除未被该导电层覆盖的该高分子凸块，以形成一徒峭面，该陡峭面与该基板的夹角为30度至150度。如申请专利范围第36项所述之接点结构的制程，其中形成该高分子凸块的方法包括使用灰阶光罩。