超薄晶粒及其制造方法

摘要

根据一特定实施例，本发明揭示了一种处理半导体基板之方法，藉此可薄化基板，且可藉由普通制程单一化形成在基板上之晶粒。沟槽区域(42，43)形成在基板之背面。背面之各同向性蚀刻导致基板之薄化，同时维持沟槽之深度，进而利于晶粒之单一化。

主权项

一种分割半导体基板成为复数个晶粒之方法，该方法包含：形成一覆盖一半导体基板之一背面之遮罩层；在该遮罩层中形成沟槽区域，该遮罩层中之该等沟槽区域定义自该半导体基板形成晶粒之位置；在该遮罩层中形成该等沟槽区域后，自该半导体基板之该背面蚀刻该遮罩层及该半导体基板以同时移除该遮罩层，并在该半导体基板之该背面中形成沟槽区域；及在蚀刻该遮罩层及该半导体基板后，自该半导体基板之该背面蚀刻以同时薄化该半导体基板并蚀刻在该半导体基板中的该沟槽区域之底部直到该半导体基板中之该沟槽区域穿透至该半导体基板之一正面，于此时该半导体基板已被分割成复数个晶粒。如请求项1之方法，其中在该遮罩层中形成该等沟槽区域包含将该遮罩层中之该等沟槽区域与所形成之覆盖该半导体基板之该正面之特征物对准，且其中该方法进一步包括藉由侦测一电浆蚀刻之一电浆内之特征而发现的端点材料，以侦测该沟槽区域穿透至该半导体基板之该正面。一种分割半导体基板成为复数个晶粒之方法，该方法包含：在具有一第一厚度之一半导体基板之一背面内形成一沟槽区域且该沟槽区域仅部分地穿过该半导体基板，其中该沟槽区域系藉由形成覆盖该半导体基板之该背面的一图案化遮罩层来形成，其中在该遮罩层中的开口界定晶粒形成于半导体基板之何处，且自该半导体基板之该背面蚀刻该图案化遮罩层及该半导体基板以同时移除该图案化遮罩层，并在该半导体基板之该背面中形成该沟槽区域；及且在形成该沟槽区域后，自该半导体基板之该背面蚀刻以同时薄化该半导体基板至一所需厚度且达成该半导体基板中之该沟槽区域穿透至该半导体基板之一正面，以自该半导体基板形成该所需厚度之复数个晶粒，其中该所需厚度小于该第一厚度。一种分割半导体基板成为复数个晶粒之方法，该方法包含：在一半导体基板之一背面中形成一沟槽区域，该沟槽区域仅部分地穿过该半导体基板，其中该沟槽区域界定一晶粒之一侧壁部分以于一晶粒位置处形成该晶粒，其中该沟槽区域系藉由形成覆盖该半导体基板之该背面的一图案化遮罩层来形成，其中在该遮罩层中的开口界定晶粒形成于半导体基板之何处，且自该半导体基板之该背面蚀刻该图案化遮罩层及该半导体基板以同时移除该图案化遮罩层，并在该半导体基板之该背面中形成该沟槽区域；蚀刻该半导体基板之该背面以薄化对应于该晶粒位置之该半导体基板之至少一部分；及在该背面之蚀刻期间，曝露待在该晶粒位置形成之该晶粒之该侧壁部分直到该沟槽区域穿透至该半导体基板之一正面。如请求项4之方法，其中曝露包含曝露该晶粒之该整个侧壁。