发明名称 应用于低操作电压的参考电流产生电路
摘要 一种可应用于低操作电压的参考电流产生电路,位于一晶片中,利用精准的参考电压和精准的外部电阻,产生精准的参考电流。上述参考电流产生电路使用一等效电阻和上述外部电阻并联,以提供电阻补偿,降低从晶片焊垫看进晶片之中的阻抗。加上适中的电容补偿,就能改善上述参考电流产生电路的相位边限,达到回路稳定的目标,因此在低操作电压的应用中可减少晶片面积与成本。此外,上述参考电流产生电路利用电流镜复制外部电阻产生的参考电流,以解决等效电阻和外部电阻并联而影响电流的问题。
申请公布号 TWI377460 申请公布日期 2012.11.21
申请号 TW097133630 申请日期 2008.09.02
申请人 智原科技股份有限公司 发明人 黄鼎钧;陈冠宇;张原熏
分类号 G05F1/10 主分类号 G05F1/10
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种参考电流产生电路,包括:一运算放大器,该运算放大器的负输入端自一带差参考电路接收一参考电压,该运算放大器的正输入端耦接于一晶片的一焊垫;一电容,提供电容补偿,具有一第一端以及一第二端,该第一端耦接于该运算放大器,该第二端耦接于一内部接地端;一外部电阻,耦接于该焊垫与一外部接地端之间,并耦接一操作电压,产生一参考电流;以及一补偿电路,耦接于该焊垫,提供一等效电阻和该外部电阻并联,以提供电阻补偿,降低从该焊垫看进该晶片的阻抗,并复制该外部电阻产生的该参考电流。如申请专利范围第1项所述的参考电流产生电路,其中该运算放大器、该电容、该补偿电路、以及该内部接地端位于该晶片之内,该外部电阻以及该外部接地端位于该晶片之外。如申请专利范围第1项所述的参考电流产生电路,其中该补偿电路包括至少一电流镜以复制该外部电阻产生的该参考电流。如申请专利范围第1项所述的参考电流产生电路,其中该补偿电路包括一电晶体,该电晶体作二极体连接以提供该等效电阻。如申请专利范围第4项所述的参考电流产生电路,更包括:一第一电流镜,耦接于该操作电压、该焊垫、以及一电路节点之间,提供电流至该焊垫与该电路节点;而且该补偿电路包括:一第二电流镜,耦接于该焊垫、该电路节点、以及该内部接地端之间,自该焊垫与该电路节点接收电流;以及一第三电流镜,耦接于该电路节点与该内部接地端之间,自该电路节点接收电流,并且复制该外部电阻产生的该参考电流;其中该第二电流镜包括提供该等效电阻的该电晶体。
地址 新竹市科学园区力行三路5号