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一种GaN系半导体发光元件之制造方法，系于具有形成凸部及凹部之透光性的基板上，至少具备缓冲层、n型半导体层、发光层、p型半导体层之GaN系半导体发光元件之制造方法，其特征为：使前述凸部之大小、满足{(凸部底部之直径或对角线长度)<(凸部高度)}之关系，使前述凹部之大小、满足{(凹部上端之直径或对角线长度)<(凹部深度)}之关系，系藉由溅镀法将上述缓冲层予以成膜，且令前述溅镀法，以具有摇动式磁控磁性电路之装置加以进行者。如申请专利范围第1项所记载之GaN系半导体发光元件之制造方法，其中，上述缓冲层为AlN、ZnO、Mg、Hf。如申请专利范围第1或2项所记载之GaN系半导体发光元件之制造方法，其中，上述缓冲层为AlN。如申请专利范围第1或2项所记载之GaN系半导体发光元件之制造方法，其中，上述具有透光性的基板为蓝宝石单结晶。如申请专利范围第1或2项所记载之GaN系半导体发光元件之制造方法，其中，上述凸部之形状为截圆锥，截圆锥的高度较截圆锥下端的直径还大。如申请专利范围第1或2项所记载之GaN系半导体发光元件之制造方法，其中，上述凸部之形状为截三角锥、截四角锥、截五角锥、截六角锥等之截多角锥，截多角锥的高度较截多角锥下端的对角线还大。如申请专利范围第1或2项所记载之GaN系半导体发光元件之制造方法，其中，上述凸部之形状为圆锥，圆锥的高度较圆锥下端的直径还大。如申请专利范围第1或2项所记载之GaN系半导体半导体发光元件之制造方法，其中，上述凸部之形状为三角锥、四角锥、五角锥、六角锥等之多角锥，多角锥的高度较多角锥下端的对角线还大。如申请专利范围第1或2项所记载之GaN系半导体发光元件之制造方法，其中，于上述凸部之形状为圆柱时，圆柱的高度较圆柱的直径还大。如申请专利范围第1或2项所记载之GaN系半导体发光元件之制造方法，其中，上述凸部之形状为三角柱、四角柱、五角柱、六角柱等之多角柱，多角柱的高度较多角柱的对角线还大。如申请专利范围第1或2项所记载之GaN系半导体发光元件之制造方法，其中，上述凹部之形状为截圆锥，截圆锥的深度较截圆锥上端的直径及上面的直径还大。如申请专利范围第1或2项所记载之GaN系半导体半导体发光元件之制造方法，其中，上述凹部之形状为截三角锥、截四角锥、截五角锥、截六角锥等之截多角锥，截多角锥的深度较截多角锥上端的对角线还大。如申请专利范围第1或2项所记载之GaN系半导体发光元件之制造方法，其中，上述凹部之形状为圆锥，圆锥的深度较圆锥上端的直径还大。如申请专利范围第1或2项所记载之GaN系半导体发光元件之制造方法，其中，上述凹部之形状为三角锥、四角锥、五角锥、六角锥等之多角锥，多角锥的深度较多角锥上端的对角线还大。如申请专利范围第1或2项所记载之GaN系半导体发光元件之制造方法，其中，上述凹部之形状为圆柱，圆柱的深度较圆柱的直径还大。如申请专利范围第1或2项所记载之GaN系半导体发光元件之制造方法，其中，上述凹部之形状为三角柱、四角柱、五角柱、六角柱等之多角柱，多角柱的深度较多角柱的对角线还大。如申请专利范围第1或2项所记载之GaN系半导体发光元件之制造方法，其中，上述凹部之形状为条状的沟，沟的深度较沟的宽度还大。一种灯，其特征为：系具备：使用申请专利范围第1或2项所记载之GaN系半导体发光元件之制造方法而制造之发光元件。 |
