| 主权项 |
一种晶圆级封装方法，包含：提供一晶圆，在该晶圆之一表面设有复数个凸块；放置一介电胶带于一模板上；压合该晶圆与该模板，以使该介电胶带贴附于该晶圆之该表面并使该些凸块插入至该介电胶带中，其中该模板系具有复数个容置孔，其系位置对应于该些凸块；移除该模板；以及平坦化该介电胶带，并使该些凸块形成有复数个显露表面，该些显露表面系与该介电胶带之平坦表面为共平面。根据申请专利范围第1项之晶圆级封装方法，其中该些容置孔系贯穿该模板。根据申请专利范围第1项之晶圆级封装方法，其中在上述压合步骤中，该些凸块系穿过该介电胶带而形成复数个突出端，该些突出端系位于该些容置孔内。根据申请专利范围第3项之晶圆级封装方法，其中在上述平坦化步骤中，该些突出端同时被磨削。根据申请专利范围第3项之晶圆级封装方法，其中该些凸块之高度系大于该介电胶带之厚度，但小于该介电胶带之厚度与对应容置孔之深度之加总。根据申请专利范围第1项之晶圆级封装方法，其中该晶圆被该介电胶带所覆盖之该表面系为一主动表面。根据申请专利范围第1或6项之晶圆级封装方法，其中该些凸块之该些显露表面系为晶圆切割之定位点。根据申请专利范围第7项之晶圆级封装方法，其中该晶圆系包含复数个晶粒，该些凸块系设于该晶圆不包含该些晶粒之边缘废料部位。根据申请专利范围第8项之晶圆级封装方法，其中该些晶粒上设有复数个凸出电极，并在上述平坦化步骤之后，该些凸出电极系具有外露于该介电胶带之导接表面。根据申请专利范围第7项之晶圆级封装方法，其中该晶圆系包含复数个晶粒，每一晶粒上设置有该些凸块之至少一个以上。根据申请专利范围第1项之晶圆级封装方法，其中该介电胶带系具有B-stage(B阶)特性。根据申请专利范围第1项之晶圆级封装方法，其中该晶圆被该介电胶带所覆盖之该表面系为一背面。根据申请专利范围第12项之晶圆级封装方法，其中该介电胶带系为晶粒贴附物质(Die Attach Material,DAM)。根据申请专利范围第1项之晶圆级封装方法，其中该介电胶带系为一封装胶层。根据申请专利范围第14项之晶圆级封装方法，其中在移除该模板之后与上述平坦化该介电胶带之前，另包含：固化该介电胶带。一种晶圆级封装方法，包含：提供一晶圆，在该晶圆之一表面设有复数个凸块；放置一介电胶带于一模板上；压合该晶圆与该模板，以使该介电胶带贴附于该晶圆之该表面并使该些凸块插入至该介电胶带中；移除该模板；以及平坦化该介电胶带，并使该些凸块形成有复数个显露表面，该些显露表面系与该介电胶带之平坦表面为共平面，其中该些凸块之该些显露表面系为晶圆切割之定位点。根据申请专利范围第16项之晶圆级封装方法，其中该晶圆被该介电胶带所覆盖之该表面系为一主动表面。根据申请专利范围第16项之晶圆级封装方法，其中该晶圆系包含复数个晶粒，该些凸块系设于该晶圆不包含该些晶粒之边缘废料部位。根据申请专利范围第18项之晶圆级封装方法，其中该些晶粒上设有复数个凸出电极，并在上述平坦化步骤之后，该些凸出电极系具有外露于该介电胶带之导接表面。根据申请专利范围第16项之晶圆级封装方法，其中该晶圆系包含复数个晶粒，每一晶粒上设置有该些凸块之至少一个以上。根据申请专利范围第16项之晶圆级封装方法，其中该晶圆被该介电胶带所覆盖之该表面系为一背面。 |
