| 主权项 |
一种太阳能电池元件结构，包含：一基板，具一粗糙面；一金属层，形成于该基板之该粗糙面上；一p型半导体层，形成于金属层之表面，包含铜铟镓硒硫、铜铟镓硒、铜铟硫、铜铟硒或包含铜、硒或硫二者或二者以上之化合物材料；一n型半导体层，形成于该p型半导体层上，且与该p型半导体层形成粗糙之p－n接合面；以及一透明导电层，形成于该n型半导体层上。根据请求项1之太阳能电池元件结构，其中该粗糙面之粗糙度介于0.01至100 μm间。根据请求项1之太阳能电池元件结构，其中该p－n接合面之粗糙度介于0.01至100 μm间。根据请求项1之太阳能电池元件结构，其中该基板为玻璃基板、塑胶软板、不锈钢、钼、铜、钛、铝等金属板或金属箔片。根据请求项4之太阳能电池元件结构，其中该粗糙面系由喷砂或蚀刻形成。根据请求项4之太阳能电池元件结构，其中该粗糙面系由喷砂后进行蚀刻形成。根据请求项1之太阳能电池元件结构，其中该基板为金属基板。根据请求项7之太阳能电池元件结构，其中该粗糙面系由蚀刻或机械压花形成。根据请求项1之太阳能电池元件结构，其中该金属层包含钼。根据请求项1之太阳能电池元件结构，其中该n型半导体层包含硫化镉、硫化锌、硫化铟。根据请求项1之太阳能电池元件结构，其中该n型半导体层与透明导电层间另包含一载子阻障层。根据请求项1之太阳能电池元件结构，其中该透明导电层系选自铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物、镓锌氧化物、铝镓锌氧化物、镉锡氧化物、氧化锌及二氧化锆。一种太阳能电池元件结构之制造方法，包含：提供一基板；粗糙化该基板，于该基板形成一粗糙面；形成一金属层于该粗糙面上；形成一p型半导体层于该金属层上，该p型半导体层包含铜铟镓硒硫、铜铟镓硒、铜铟硫、铜铟硒或包含铜、硒或硫二者或二者以上之化合物材料；形成一n型半导体层于该p型半导体层上，其中该n型半导体层与该p型半导体层形成粗糙之p－n接合面；以及形成一透明导电层于该n型半导体层上。根据请求项13之太阳能电池元件结构之制造方法，其中该粗糙面之粗糙度介于0.01至100 μm间。根据请求项13之太阳能电池元件结构之制造方法，其中该p－n接合面之粗糙度介于0.01至100 μm间。根据请求项13之太阳能电池元件结构之制造方法，其中该基板系玻璃基板，粗糙化该基板之步骤包含蚀刻、喷砂。根据请求项16之太阳能电池元件结构之制造方法，其中粗糙化该基板之步骤系包含喷砂后蚀刻。根据请求项16之太阳能电池元件结构之制造方法，其中蚀刻系利用氢氟酸。根据请求项13之太阳能电池元件结构之制造方法，其中该基板系金属基板，粗糙化该基板之步骤包含蚀刻、机械压化。根据请求项13之太阳能电池元件结构之制造方法，其中粗糙化该基板包含：形成一第一金属膜于该基板；蚀刻粗糙化该第一金属膜；以及形成该第二金属膜于该第一金属膜上。根据请求项13之太阳能电池元件结构之制造方法，其中形成该金属层系利用溅镀。根据请求项13之太阳能电池元件结构之制造方法，其中形成该p型半导体层系利用元素源共同蒸镀、金属前驱物硒化、化合物源蒸镀、化学气相沉积、封闭空间气相传输、喷雾热解、电镀、前驱物低温液相沉积或粒状前驱物黄铜晶化。根据请求项13之太阳能电池元件结构之制造方法，其中形成透明导电层于该n型半导体层上之前另包含形成一载子阻障层之步骤，使得该载子阻障层形成于该n型半导体层及透明导电层之间。 |
