位置检测方法、曝光方法、位置检测装置、曝光装置及元件制造方法

摘要

本发明之目的系高精度且在短时间内进行晶圆对准。;于步骤502中，选择参数自由度较小的模式M’之AIC(M’)、与参数自由度较大的模式M之AIC(M)中的较小者来作为EGA模式。选择出模式M、且其余数在既定值以上之情形时，系选择参数自由度大于模式M之所有系数为参数的模式。当有效样本数小于在此模式之参数自由度时，系增加有效样本数、并进一步追加测量样本照射。之后，于步骤524中，将此次所选择之模式的系数，反映于下次对准时的事前知识，且于步骤508及步骤518中，视此次之模式的参数自由度，进行有效样本数的增减。

主权项

一种位置检测方法，系用以检测物体上所配置之复数个区划区域之位置资讯，其特征在于，包含：第1制程，系根据既定座标系内该复数个区划区域中至少一部分区划区域之位置资讯的实测值，来决定与该复数个区划区域之配置相关的模式；以及第2制程，系根据该决定之模式，算出该复数个区划区域之位置资讯；该第1制程，包含根据该至少一部分区划区域之位置资讯之实测值，来决定用以测量该位置资讯之区划区域且决定该模式之参数的自由度，并根据该决定之模式之参数的自由度，来决定追加测量之区划区域的制程。一种位置检测方法，系用以检测物体上所配置之复数个区划区域之位置资讯，其特征在于，包含：第1制程，系使用既定座标系内该复数个区划区域中之若干个区划区域之位置资讯的实测值，分别就参数自由度各不相同之若干个关于该复数个区划区域之回归模式，算出该模式之既定评价规范的值，根据该算出结果，作为与该复数个区划区域相关之回归模式而选择该评价规范中被判断为最佳的模式；以及第2制程，系根据该选择之回归模式，算出该复数个区划区域之位置资讯。如申请专利范围第2项之位置检测方法，其中，进一步包含第3制程，此制程系将该评价规范中作为最佳模式所选择之回归模式的参数值，反映至与用来规定该回归模式之系数相关的事前知识；就形成该复数个区划区域之复数个该物体，依序变更作为位置资讯检测对象之物体，一边反覆该第1制程、该第2制程、与该第3制程。如申请专利范围第3项之位置检测方法，其中，该第3制程，系更新该各区划区域之位置资讯实侧值的取样数，俾使其成为用来评价作为该评价规范之最佳模式所选择之回归模式的正确性程度所需之充分的数。如申请专利范围第3项之位置检测方法，其中，该第1制程，系从参数自由度为既定大小之第1回归模式、参数自由度小于该第1回归模式之第2回归模式、与参数自由度大于该第1回归模式之第3回归模式中，选择该评价规范之最佳模式。如申请专利范围第3项之位置检测方法，其中，该第1制程，在与参数自由度为既定大小之第1回归模式的该评价规范之值相较，参数自由度小于该第1回归模式之第2回归模式的该评价规范之值较为良好之情形时，系选择该第2回归模式来作为该评价规范之最佳模式；在该第1回归模式之该评价规范之值较该第2回归模式良好、且该第1回归模式之概度较既定值良好之情形时，系选择该第1回归模式来作为该评价规范之最佳模式；在该第1回归模式之该评价规范之值较该第2回归模式良好、且该第1回归模式之概度较既定值不良之情形时，系选择参数自由度大于该第1回归模式之第3回归模式，来作为该评价规范之最佳模式。如申请专利范围第6项之位置检测方法，其中，该第1制程，在该第3回归模式被选择作为该评价规范之最佳模式之情形时，系更进一步的追加测量对象之区划区域，俾使该区划区域之位置资讯实测值的取样数，成为用来评价该第3回归模式的正确性程度所需之充分的数；在进行该追加之区划区域之位置资讯实测值之测量后，算出该第3回归模式之参数值。如申请专利范围第7项之位置检测方法，其中，在选择该第3回归模式、且该第3回归模式有复数个之情形时，系选择该评价规范之值最为良好的第3回归模式，来作为该评价规范之最佳模式。如申请专利范围第5项之位置检测方法，其中，系将被预测在物体间之值的变动较大之回归模式的系数，于该第1、第2、第3回归模式中作为参数；将被预测在物体间之值的变动较小之回归模式的系数，于该第1、第3回归模式中作为参数，另一方面，在第2回归模式中则作为根据该事前知识所决定之常数；将在所有物体间、值被预测为大致相同之回归模式之系数，于该第1、第2回归模式中作为根据该事前知识所决定之常数，另一方面，在第3回归模式中则作为参数。如申请专利范围第9项之位置检测方法，其中，在作为位置资讯检测对象之复数个物体之处理单位的处理数不满既定数之情形时，将被预测为该处理单位间之值的变动较大之系数，于该第1、第3回归模式中作为参数，另一方面，于该第2回归模式中则作为根据该事前知识所决定之常数；在该处理数超过既定数之情形时，系将该系数于该第1、第2回归模式中作为根据该事前知识所决定之常数，另一方面，于该第3回归模式中则作为参数。如申请专利范围第2项之位置检测方法，其中，该各回归模式之概度，系根据自该回归模式所得之该既定座标系中该各区划区域之位置资讯、与该位置资讯实测值的余数，来加以推定。如申请专利范围第11项之位置检测方法，其中，作为该各回归模式之参数，包含显示该既定之座标系与被该复数个区划区域之配置所规定之排列座标系之偏差的1次成分系数、显示偏离各区划区域之成分之设计值的系数、与显示该复数个区划区域之配置相关之高次成分的系数之至少一部分。如申请专利范围第2项之位置检测方法，其中，系将该评价规范设为附加有补偿之概度的准则，该补偿系对应模式之参数自由度。如申请专利范围第13项之位置检测方法，其中，系将该准则作为赤池资讯量准则及贝氏资讯量准则中的任一者；以该值较小的模式作为良好的模式。如申请专利范围第13项之位置检测方法，其中，系将该补偿值设为相对于该回归模式参数自由度增加之概度变化的期待值、与该回归模式参数自由度的积；以该值较大的模式作为良好的模式。一种位置检测方法，系将复数个物体上所配置之复数个区划区域之位置资讯，就各物体依序进行检测，其特征在于，包含：第1制程，系根据每次依序检测该物体之位置资讯所得之与该复数个区划区域相关之回归模式之系数相关的事前知识，与既定座标系中、作为此次位置资讯检测对象之复数个区划区域中若干个区划区域之位置资讯实测值，并根据该回归模式之既定评价规范，使该回归模式之参数之自由度最佳化；第2制程，系根据具有该被最佳化参数之自由度的回归模式，来算出作为此次位置资讯检测对象之物体的复数个区划区域之位置资讯；以及第3制程，系根据该被最佳化之参数的自由度，来决定作为下一次位置资讯检测对象之物体的各区划区域之位置资讯实测值的取样数；就形成该复数个区划区域之复数个该物体，依序变更作为位置资讯检测对象之该物体，一边反覆该第1制程、该第2制程、与该第3制程。如申请专利范围第16项之位置检测方法，其中，该各回归模式之概度，系根据自该回归模式所得之该既定座标系中该各区划区域之位置资讯、与该位置资讯实测值的余数，来加以推定。如申请专利范围第17项之位置检测方法，其中，作为该各回归模式之参数，包含显示该既定之座标系与被该复数个区划区域之配置所规定之排列座标系之偏差的1次成分系数、显示偏离各区划区域之成分之设计值的系数、与显示该复数个区划区域之配置相关之高次成分的系数之至少一部分。如申请专利范围第16项之位置检测方法，其中，系将该评价规范设为附加有补偿之概度的准则，该补偿系对应模式之参数自由度。如申请专利范围第19项之位置检测方法，其中，系将该准则作为赤池资讯量准则及贝氏资讯量准则中的任一者；以该值较小的模式作为良好的模式。如申请专利范围第19项之位置检测方法，其中，系将该补偿值设为相对于该回归模式参数自由度增加之概度变化的期待值、与该回归模式参数自由度的积；以该值较大的模式作为良好的模式。一种曝光方法，系将物体上所配置之复数个区划区域依序加以曝光，以在各区划区域形成既定图案，其特征在于，包含：以申请专利范围第1、2、16项中任一项之位置检测方法，来检测该复数个区划区域之位置资讯的制程；以及根据该检测出之位置资讯，移动该物体以使该各区划区域曝光的制程。一种元件制造方法，系包含微影制程，其特征在于：该微影制程系使用申请专利范围第22项之曝光方法。一种位置检测装置，系用以检测物体上所配置之复数个区划区域之位置资讯，其特征在于，具备：测量装置，系测量既定座标系内该复数个区划区域中若干个区划区域之位置资讯；选择装置，系使用该所测量之各区划区域之位置资讯实测值，分别就参数自由度各不相同之若干个关于该复数个区划区域之回归模式，算出该模式之既定评价规范的值，根据该算出结果，作为该复数个区划区域之回归模式而选择该评价规范中的最佳模式；以及计算装置，系根据该所选择之回归模式，算出该复数个区划区域之位置资讯。如申请专利范围第24项之位置检测装置，其中，进一步具备：记忆装置，系用来储存与规定该复数个区划区域之回归模式之系数相关的事前知识；以及更新装置，系将该评价规范中作为最佳模式所选择之回归模式之参数，反映至以该记忆装置所储存之事前知识；该选择装置，系根据该记忆装置所储存之事前知识，设定该回归模式。如申请专利范围第25项之位置检测装置，其中，该记忆装置系储存该测量装置所测量之该各区划区域位置资讯实测值的取样数；该更新装置，系更新该评价规范中作为最佳模式所选择之回归模式之储存在该记忆装置中的该各区划区域位置资讯实测值的取样数。一种位置检测装置，系将复数个物体上所配置之复数个区划区域之位置资讯，就各物体依序进行检测，其特征在于，具备：最佳化装置，系根据每次依序检测该物体之位置资讯所得之与该复数个区划区域相关之回归模式之系数相关的事前知识，与既定座标系中、作为此次位置资讯检测对象之复数个区划区域中若干个区划区域之位置资讯实测值，依据该回归模式之既定评价规范，使该回归模式之参数之自由度最佳化；算出装置，系根据具有该被最佳化参数之自由度的回归模式，来算出作为此次位置资讯检测对象之物体的复数个区划区域之位置资讯；以及决定装置，系根据该被最佳化之参数的自由度，来决定作为下一次位置资讯检测对象之物体的各区划区域之位置资讯实测值的取样数。一种曝光装置，系将物体上所配置之复数个区划区域依序加以曝光，以在各区划区域形成既定图案，其特征在于，具备：位置检测装置，系申请专利范围第24或27项所记载者；以及转印装置，系根据该检测出之位置资讯，移动该物体以使该各区划区域曝光。一种元件制造方法，系包含微影制程，其特征在于：该微影制程系使用申请专利范围第28项之曝光装置。一种位置检测方法，系检测物体上所配置之复数个区划区域之位置资讯，其特征在于，包含：第1制程，系测量该物体上之该复数个区划区域中，被指定之复数个区划区域之位置资讯；第2制程，系在该第1制程后进行既定处理动作；以及第3制程，系在该第2制程后，测量该物体上之该复数个区划区域中，未在该第1制程中被测量之复数个区划区域之位置资讯；该第2制程系根据该第1制程之测量结果，进行探索最佳模式之处理动作以作为与该物体上之复数个区划区域相关的回归模式，且为探索该最佳模式而进一步进行判别区划区域之位置资讯之必要性的处理动作；该第3制程，系根据在该第2制程之处理，来测量被判断需要更进一步之位置资讯之区划区域的位置资讯。一种位置检测装置，系用以检测物体上所配置之复数个区划区域之位置资讯，其特征在于，具备：测量装置，系测量该物体上之该复数个区划区域中，被指定之复数个区划区域之位置资讯；以及处理装置，系在该测量装置之测量后进行既定处理动作；该测量装置，系在该处理装置所进行之该处理动作后，测量该物体上之该复数个区划区域中，在该测量动作时未被测量之复数个区划区域之位置资讯；该处理装置系根据该测量装置之最初的测量结果，进行探索最佳模式之处理动作以作为与该物体上之复数个区划区域相关的回归模式，且为探索该最佳模式而进一步进行判别区划区域之位置资讯之必要性的处理动作；该测量装置，系根据在该处理装置之判别处理，来测量被判断需要更进一步之位置资讯之区划区域的位置资讯。