导入不纯物之控制方法

摘要

本发明系有关对于被处理体1导入不纯物即掺杂物之控制方法，该控制方法在于测定掺杂中被处理体1之温度、包含冲击被处理体1之电浆中不纯物之离子及电浆中的气体种，并对应被处理体1之温度而算出以包含存在于电浆中之不纯物之气体种之中的中性气体而掺杂于被处理体之剂量、与从包含冲击被处理体1之不纯物之离子量以离子掺杂于被处理体的剂量，而以经算出之中性气体所构成之剂量与离子所构成之剂量之和为预先设定之剂量进行掺杂。

主权项

一种导入不纯物之控制方法，包含：步骤(a)，于处理室内设置被处理体；及步骤(b)，于前述步骤(a)后，将前述被处理体暴露于使用供给至前述处理室内之包含不纯物之气体的电浆，以使预先设定之剂量的前述不纯物导入至前述被处理体，且在前述步骤(b)，控制前述被处理体的温度，使存在于前述电浆中之前述包含不纯物之气体中的前述不纯物导入至前述被处理体的第1剂量，与藉前述电浆而离子化之前述不纯物导入至前述被处理体的第2剂量的和为前述预先设定的剂量。如申请专利范围第1项之导入不纯物之控制方法，其中前述步骤(b)更包含以前述电浆将前述被处理体表面非晶质化的步骤，且使前述被处理体之业经非晶质化的表面接触前述包含不纯物的气体而导入前述第1剂量的前述不纯物。如申请专利范围第1项之导入不纯物之控制方法，其中存在于前述电浆中之前述包含不纯物的气体系未活性化或未离子化的气体。如申请专利范围第1项之导入不纯物之控制方法，其中前述第1剂量随着前述被处理体的温度上昇而增加。如申请专利范围第1项之导入不纯物之控制方法，其中前述被处理体的温度，由表示前述被处理体之温度与从前述包含不纯物之气体导入至前述被处理体之前述不纯物剂量之关系的资料而求得。如申请专利范围第1项之导入不纯物之控制方法，其中将前述被处理体的温度控制在250℃以下之任意的设定温度。如申请专利范围第1项之导入不纯物之控制方法，其中将前述被处理体的温度控制在小于20℃之任意的设定温度。如申请专利范围第1项之导入不纯物之控制方法，其中将前述被处理体的温度控制在0℃以下之任意的设定温度。如申请专利范围第1项之导入不纯物之控制方法，其中将前述被处理体的温度控制在-170℃以下之任意的设定温度。如申请专利范围第1项之导入不纯物之控制方法，其中前述包含不纯物之气体为包含硼的气体。如申请专利范围第1项之导入不纯物之控制方法，其中前述包含不纯物之气体为包含硼的氢化合物气体。如申请专利范围第1项之导入不纯物之控制方法，其中前述包含不纯物之气体为以氦稀释的二硼烷气体。如申请专利范围第1项之导入不纯物之控制方法，其中前述被处理体为矽基板。如申请专利范围第1项之导入不纯物之控制方法，其中前述第1剂量相对于前述预先设定的剂量为0.3至30%。一种导入不纯物之控制方法，包含：步骤(a)，将被处理体表面非晶质化；步骤(b)，将前述被处理体设定于预定的温度；及步骤(c)，于前述步骤(a)及前述步骤(b)后，将包含不纯物之气体照射前述表面业经非晶质化之前述被处理体，而将预先设定之剂量的前述不纯物导入至前述被处理体，且前述预定的温度为从前述包含不纯物之气体导入之前述不纯物之剂量达前述预先设定之剂量的温度。如申请专利范围第15项之导入不纯物之控制方法，其中于前述步骤(c)，藉前述包含不纯物的气体接触前述被处理体之业经非晶质化的表面，导入前述预先设定之剂量的前述不纯物。如申请专利范围第15项之导入不纯物之控制方法，其中前述预定的温度系由表示前述被处理体之温度与从前述包含不纯物之气体导入至前述被处理体之前述不纯物剂量之关系的资料而求得。如申请专利范围第15项之导入不纯物之控制方法，其中于前述步骤(a)，系藉使用不含前述不纯物之气体的电浆处理，而将前述被处理体表面非晶质化。如申请专利范围第15项之导入不纯物之控制方法，其中将前述被处理体的温度控制在250℃以下之任意的设定温度。如申请专利范围第15项之导入不纯物之控制方法，其中将前述被处理体的温度控制在小于20℃之任意的设定温度。如申请专利范围第15项之导入不纯物之控制方法，其中将前述被处理体的温度控制在0℃以下之任意的设定温度。如申请专利范围第15项之导入不纯物之控制方法，其中将前述被处理体的温度控制在-170℃以下之任意的设定温度。如申请专利范围第15项之导入不纯物之控制方法，其中前述包含不纯物之气体为包含硼的气体。如申请专利范围第15项之导入不纯物之控制方法，其中前述包含不纯物之气体为包含硼的氢化合物气体。如申请专利范围第15项之导入不纯物之控制方法，其中前述包含不纯物之气体为以氦稀释的二硼烷气体。如申请专利范围第15项之导入不纯物之控制方法，其中前述被处理体为矽基板。